Полігонізація.

Під час твердіння металів у кристалах утворюються дислокації, які можуть розподілятися хаотично або у вигляді скупчень , що розмежовують шари й осередки. Вільна енергія металу , що містить хаотично розподілені дислокації підвищена. Зниження вільної енергії може бути досягнуто перерозподілом дислокацій з утворенням «стінок» дислокацій або полігонізаційних границь. Полігони повернені один відносно одного на кут, що не перевищує 1 - 2°, що залежить від числа дислокацій у граничному шарі. Крайові дислокації позначаються знаком ┴ або ┬, що вказує на край верхньої або нижньої недобудованої напівплощини. Якщо прийняти , що дислокації типу ┴ - позитивні(+), то дислокації типу ┬ - негативні (-). Ряд крайових дислокацій одного й того ж самого знаку відштовхуються й стійкі тоді, коли вони розташовуються одна над іншою по вертикалі до площини ковзання. Дислокації різних знаків притягуються й при русі в одній площині ковзання анігілюють (взаємно знищуються). Обидва ці процеси приводять до зниження вільної енергії системи.

У випадках впливу на вертикальні дислокаційні рядів сил, що перевищують сили взаємодії між дислокаціями у вертикальних «стінках» відбувається процес зворотний полігонізації - « розпилення» полігонізаційних границь, що може привести до наступного об'єднання полігонів і утворенню великих субзерен зі збільшенням кута розорієнтації між ними.

У результаті кооперативного переміщення дислокацій може відбуватися й об'єднання полігонів, при якому їхні границі не «розпиляються» , а поступово зливаються й утворять одну загальну великокутову границю.

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Зміна структури металів і сплавів у твердому стані	\|	Рекристалізація.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.