Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Товщина запірного шару

Розглядаючи розподіл величини електростатичного потенціалу в запірному шарі, ми отримали:

 

. (2.38)

 

 

Звідси товщина запірного шару dn буде дорівнювати :

 

, (2.39)

якщо n0=Nd

 

Із (2.39) видно, що товщина запірного шару зростає із зростанням величини Vk - контактної різниці потенціалів, яка визначається різницею робіт виходу і зменшується при збільшенні концентрації домішки.

Формула (2.39) буде справедливою і при накладенні зовнішнього електричного поля.

Для прямого включення зовнішнього електричного поля висота потенціального бар`єру зменшується на величину зовнішньої напруги e(Vk-V).

В цьому випадку товщина запірного шару буде:

 

, (2.40)

 

тобто величина dn буде зменшуватися з ростом величини V.

Навпаки при V<0 , тобто для зворотнього включення, товщина шару збільшується з ростом абсолютного значення V. Якщо V позначити через Vзвор., то формулу (2.40) можна переписати так:

 

, (2.41)

 

Збіднений шар з постійним об`ємним зарядом здатний змінювати свою товщину по формулі типу ( 2.39 ) називають фізичним запірним шаром або шаром (бар`єром) Шотткі.

Відмітимо залежність товщини бор`єру Шотткі від концентрації носіїв заряду і, відповідно, від концентрації легуючих домішок.

Із збільшенням n0 товщина шару зменшується , і навпаки. Відповідно, чим слабше легований напівпровідник, тим більше dn при заданому значенні V. Наприклад, для германію n -типу, який має =16, Vk=0,3eB при n0=1014см-3 в рівноважному стані, тобто при V=0 маємо dn=2,3.10-4см, а при n0=1016 см-3, відповідно dn= 2,3.10-5см.

Звичайно порядок товщини шару Шотткі при V=0 буде в межах 10-5-10-3см.

 


Читайте також:

  1. Якщо молярна концентрація і товщина поглинаючого шару розчину дорівнюють одиниці, то




Переглядів: 643

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Зміна зонної схеми контакту напівпровідник-метал при накладенні постійного зовнішнього поля | Теорія випрямлення на контакті напівпровідник-метал

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.001 сек.