Розглядаючи розподіл величини електростатичного потенціалу в запірному шарі, ми отримали:
. (2.38)
Звідси товщина запірного шару dn буде дорівнювати :
, (2.39)
якщо n0=Nd
Із (2.39) видно, що товщина запірного шару зростає із зростанням величини Vk - контактної різниці потенціалів, яка визначається різницею робіт виходу і зменшується при збільшенні концентрації домішки.
Формула (2.39) буде справедливою і при накладенні зовнішнього електричного поля.
Для прямого включення зовнішнього електричного поля висота потенціального бар`єру зменшується на величину зовнішньої напруги e(Vk-V).
В цьому випадку товщина запірного шару буде:
, (2.40)
тобто величина dn буде зменшуватися з ростом величини V.
Навпаки при V<0 , тобто для зворотнього включення, товщина шару збільшується з ростом абсолютного значення V. Якщо V позначити через Vзвор., то формулу (2.40) можна переписати так:
, (2.41)
Збіднений шар з постійним об`ємним зарядом здатний змінювати свою товщину по формулі типу ( 2.39 ) називають фізичним запірним шаром або шаром (бар`єром) Шотткі.
Відмітимо залежність товщини бор`єру Шотткі від концентрації носіїв заряду і, відповідно, від концентрації легуючих домішок.
Із збільшенням n0 товщина шару зменшується , і навпаки. Відповідно, чим слабше легований напівпровідник, тим більше dn при заданому значенні V. Наприклад, для германію n -типу, який має =16, Vk=0,3eB при n0=1014см-3 в рівноважному стані, тобто при V=0 маємо dn=2,3.10-4см, а при n0=1016 см-3, відповідно dn= 2,3.10-5см.
Звичайно порядок товщини шару Шотткі при V=0 буде в межах 10-5-10-3см.