Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Зміна зонної схеми контакту напівпровідник-метал при накладенні постійного зовнішнього поля

 

При відсутності зовнішнього поля (в рівноважних умовах) вигин зон рівний , а при накладанні зовнішнього поля вигин зон змінююється на величину , на яку зміщуються і рівні Фермі. При

 

вигин зон зменшується, при - збільшується, а в цілому вигин зон рівний .

 

Рис. 2.5. Зонна схема контакту метал- напівпровідник в стані термодинамічної рівноваги.

 

При під`єднанні зовнішнього джерела плюсом до металу, а мінусом до напівпровідника спостерігається зсув рівнів Фермі Ефн/п і рівнів Eco, Eio, Evo вверх, а рівня м - вниз, так що Ефн/п- Eфм=eV.

Таке включення зовнішнього електричного поля приводить до віднімання зовнішнього поля від контактного і до зменшення викривлення зон у збідненому шарі, що відповідає прямому включенню зовнішньої напруги.

 

 

Рис. 2.6. Зонна схема контакту метал- напівпровідник при прямому під`єднанні зовнішньої напруги.

 

Напруженість поля в будь-якому перерізі збідненого шару при прямому включенні менше, ніж в рівноважних умовах для того ж перерізу.

 

Рис. 2.7. Зонна схема контакту метал- напівпровідник при зворотному зміщенні.

 

При під`єднанні зовнішнього джерела мінусом до металу і плюсом до напівпровідника спостерігається зсув рівнів Ефн/п, Eco, Eio, Evo вниз, а Eфм -вверх, так що м- Ефн/п=eV . Це приводить до додавання контактного і зовнішнього полів і до збільшення вигину зон в запірному шарі, що відповідає зворотньому включенню. Допускаючи, що V<0, можна записати загальний вигин зон як e(Vk-V).


Читайте також:

  1. VІ. Структурно-логічні схеми
  2. Адаптація організму до змін чинників зовнішнього середовища
  3. Алгоритми та блок-схеми
  4. Аналіз зовнішнього середовища
  5. Бистрість – це здатність людини до термінового реагування на подразники та до високої швидкості рухів, що виконуються при відсутності значного зовнішнього опору.
  6. Блоки схеми алгоритму
  7. Будова машин постійного струму
  8. В. Одноразова зміна хазяїна без ендогенної агломерації
  9. Взаємодія зовнішнього і внутрішнього
  10. Вибір схеми підключення абонентів залежно від режимів тиску.
  11. Вибір типу обмотки і складання схеми.
  12. Вибір типу обмотки і складання схеми.




Переглядів: 686

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Залежність напруженості поля і електростатичного потенціалу від віддалі в запірному шарі і від концентрації електронів в об`ємі напівпровідника | Товщина запірного шару

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.002 сек.