МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
Залежність напруженості поля і електростатичного потенціалу від віддалі в запірному шарі і від концентрації електронів в об`ємі напівпровідникаВнаслідок збіднення запірного шару основними носіями заряду зростає його опір, так що вся контактна різниця потенціалів розподіляється в цьому шарі. Крім того, як правило вважають, що всязовнішня різниця потенціалів також падає на тому ж шарі і сумарна зміна потенціалів (вигин зон) спостерігається лише в області запірного шару. Розглянемо знову контакт напівпровідника n-типу з металом при умові Фн/п<Фм. В цьому випадку в напівпровіднику виникає запірний шар рис.2.4 Концентрація вільних електронів в шарі визначається у вигляді
n=Nс e - (2.22)
Де e- потенціальна енергія електрона, що відповідає вигину дна зони провідності. Тут приймається , що величини e і мають абсолютні значення, тобто e>0. Концентрація електронів в об`ємі напівпровідника
n0=Nс e -. (2.23)
Візьмемо на внутрішній границі запірного шару n=n0 і =0, так що відлікв даному випадку ведемо від Eco Відповідно, маємо
n=n0 e -. (2.24)
Припустимо, що n0= Nd= Nd+, тобто всі донори іонізовані. Тоді густина об`ємного заряду в запірному шарі буде рівна
=eNd+- en= en0(1-e-). (2.25)
Якщо зони викривлені помітним чином, так що e>>kT, то другим додатком в (4) можна знехтувати і вважати, що
= en0= eNd+ , (2.26)
тобто вважати постійним у всьому шарі. Густина об`ємного заряду і потенціал зв`язані рівнянням Пуасона:
=- =-. (2.27)
Інтегруючи це рівняння будемо мати:
(2.28)
Поскільки при , тобто на внутрішній границі шару , то . Відповідно
(2.29)
тобто напруженість поля є лінійною функцією x . Поле направлене в кожній точці х вздовж напрямку х, тобто до металу. Максимальне значення поля спостерігається на межі розділу з металом.
, (2.30)
Інтегруючи рівняння (8), отримуємо електростатичний потенціал
(2.31)
Поскільки при x=0, ми взяли , тобто вибрали початок відліку потенціалу від рівня Ec0, одержимо . Абсолютне значення буде
. (2.32)
Величина має максимальне абсолютне значення
(2.33) Як напруженість поля, так і потенціал пропорціональні , тобто зростають по абсолютному значенню із збільшенням концентрації донорів Nd.
Рис.2.4. Зонна схема контакту метал- напівпровідник в стані термодинамічної рівноваги.
На рис. 2.4. якісно показано хід з врахуванням знака в області збідненого шару, а також хід потенціальної енергії електронів , які відповідають рівнянню (10). Квадратична залежність (або ) має зміст тільки для запірного шару, тому другу вітку параболи можна не враховувати. Формули приведеного типу можна записати також в приміненні до діркового напівпровідника, який контактує з металом, якщо Фн/п>Фм . Відмітимо, що припущення про те що об`ємний заряд є постійним є наближеним, особливо для внутрішньої області збідненого шару, поскільки там величина мала, так що експоненту в формулі (2.25), строго говорячи, можна не враховувати. Якщо вважати, що , то експоненту можна розкласти в ряд:
(2.34)
Якщо обмежитися двома першими членами ряду, одержимо:
. (2.35)
Якщо врахувати, що в даному випадку ,то
. (2.36)
Вибираємо напрямок відліку x від металу в глибину н/п. Приймаючи в глибині напівпровідника ,отримуємо =0, так як при віддаленні від межі розділу величина зменшується. Інша постійна . Тут є абсолютна величина потенціалу при x=0, який вибираємо виходячи із умови, коли стає справедливим нерівність , тобто в так званій квазінейтральній області. Якщо ця область простягається аж до поверхні, то . Для квазінейтрального шару отримуємо:
(2.37)
Таким чином, дебаєвська довжина екранування LD являє собою глибину проникнення поля в квазінейтральній області, на якій потенціал по абсолютному значенню зменшується в e раз. Для германію () при 300К і n0=1014см-3 маємо LD=4.10-5см.
Читайте також:
|
||||||||
|