МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||||
Явища на контакті метал напівпровідникВступ Сонячні елементи – це напівпровідникові фотоелектричні пристрої, які призначені для перетворення сонячної енергії в електричну. Їх ще називають фотоперетворювачами. Вони входять у великий клас напівпровідникових приладів, які називають фотоелементами. Основними показниками якості сонячних елементів є коефіцієнт перетворення світлової енергії в електричну, термічна стабільність, радіаційна стійкість. Найчастіше сонячний елемент являє собою твердотільну конструкцію із напівпровідникових матеріалів, які добре поглинають світло, а також металевих та діелектричних шарів. В основі функціонування сонячного елементу лежить явище вентильного фотоефекту. Поглинуті напівпровідником світлові кванти звільнюють електрони і дірки від внутрішніх кристалічних зв’язків і переводять їх в рухомий стан. Після, протилежно заряджені вільні носії заряду просторово розділяються переміщуючись в протилежних напрямках за рахунок дифузії, або дрейфу в силововому полі. Це силове поле повинно існувати в напівпровіднику. Такі ділянки в напівпровіднику, де на вільні носії діє сила струму називаються бар’єрами. Механізм розділення носіїв відіграє роль своєрідного вентиля, який протидіє безпосередній взаємодії збуджених світлом вільних електронів і дірок. Щоб прорекомбінувати, вони повинні пройти по зовнішньому колу, де їх надлишкова потенціальна енергія, яка отримана внаслідок поглинання світла, перетворюється в кінетичну енергію рухомого заряду (електричний струм). Незважаючи на те, що механізм вентильного фотоефекту відомий з 1839 р. і був відкритий Бекерелем, початком його практичного застосування можна вважати п’ятидесяті роки 20 ст., коли були створені батареї сонячних елементів для забезпечення енергією штучних супутників Землі і космічних лабораторій. Вважається, що практичне використання в енергетиці можуть знаходити лише фотоперетворювачі з ККД > 10%. Зараз створені сонячні елементи з Основним матеріалом для сонячних батарей в даний час є кремній. Ефективність сонячних елементів на основі кремнію складає 15 ÷ 16% при прямому опромінюванні в умовах навколоземного космосу. У наземних умовах ккд кремнієвих елементів складає близько 20% при прямому сонячному опромінюванні і до 25 ÷ 27% при (30 ÷ 50) - кратній концентрації сонячного випромінювання. Основним недоліком кремнієвих елементів є значне зменшення ккд при збільшенні робочої температури. Великі значення ккд і високу радіаційну стійкість мають сонячні елементи на основі гетероструктур. На даний час у світі освоєний випуск гетероперехідних елементів з кількома p-n-переходами (каскадні сонячні елементи), ккд яких наближається до 40%. Такі сонячні елементи створені на основі GaAs, який належить до сполук А 3В 5.
Розділ 2. Характеристика електричних процесів на контакті метал- напівпровідник
Розглянемо контакт напівпровідника n-типу з металом. Їх розділяє тонкий вакуумний шар. Робота виходу з напівпровідника менша ніж робота виходу з металу WHП < WM.
Рис. 1. Діаграма енергетичних зон металу і напівпровідника у початковий момент зближення.
Якщо метал і напівпровідник привести в електричний контакт, то між ними буде відбуватися обмін електронами. Електрони, які виходять з металу внаслідок термоелектронної емісії потрапляють в напівпровідник, а електрони які виходять з напівпровідника потрапляють в метал внаслідок тієї ж причини. Однак оскільки термодинамічна робота виходу електронів з металу більша ніж з напівпровідника, то густина потоку електронів із металу в напівпровідник буде менша jМ < jНП. В результаті цього буде відбуватися перенесення електронів із напівпровідника в метал і метал буде заряджатися від'ємно, а напівпровідник додатньо. Такий перехід електронів із напівпровідника в метал буде відбуватися до того часу, поки рівні Фермі в металі і напівпровіднику не вирівняються, тобто встановиться стан термодинамічної рівноваги. Між металом і напівпровідником виникне електричне поле і контактна різниця потенціалів φК. φК = (WМ - WНП) / e. (1)
Рис. 2. Енергетична діаграма структури метал-напівпровідник у стані термодинамічної рівноваги.
Електрони, які виходять з напівпровідника, щоб потрапити в метал, мають подолати додатковий потенціальний бар'єр величиною eφК. Відповідно робота виходу електронів з напівпровідника в метал збільшиться на величину eφК, а потік електронів з напівпровідника зменшиться і в стані термодинамічної рівноваги густини струмів з металу в напівпровідник і з напівпровідника в метал зрівноважаться. В реальному випадку величина φК може змінюватися від 0,1 до 1,5В і не перевищує ширини забороненої зони напівпровідника. У приповерхневому шарі напівпровідника товщиною dn залишається нерухомий об'ємний заряд додатньо іонізованих донорів і цей шар буде збіднений на основні носії заряду, тобто цей шар буде являтися діелектриком. Через малі розміри вакуумної щілини в подальшому ми її розглядати не будемо. Оскільки опір приповерхневого шару напівпровідника товщиною dn буде великим порівняно з об'ємом напівпровідника, то цей шар називають запірним або областю просторового заряду.
Вигин зонВиникнення запірного шару, де створюється додатній нерухомий об'ємний заряд, приводить до вигину зон у цьому шарі, еквівалентному виникненню контактної різниці потенціалів. Максимальне значення вигину зон рівне величині eφk, а хід зон в цьому шарі являє собою хід потенціальної енергії електрона. Поскільки ширина забороненої зони в області контакту метал-напівпровідник не змінюється, то стеля валентної зони зміщується еквівалентно до зміщення дна зони провідності. Ширина забороненої зони залишається постійною. В даному випадку зони вигинаються вверх. Основні носії заряду, в даному випадку електрони, будуть скочуватися в об'єм напівпровідника. А дірки, які є неосновними носіями заряду будуть підходити з об'єму напівпровідника до поверхневого шару.
Рис. 3 Енергетична діаграма випрямляючого контакту метал-напівпровідник у стані термодинамічної рівноваги.
При протилежному співвідношенні термодинамічних робіт виходу WHП > WM в напівпровіднику n-типу провідності виникає збагачений електронами приповерхневий шар. Тобто виникає область напівпровідника збагачена основними носіями заряду, опір якої значно нижчий ніж в об'ємній частині напівпровідника. Така система не являється випрямляючою і зони в напівпровіднику тепер будуть вигинатися вниз. Такий контакт називається антизапірним і його використовують для отримання омічних контактів металу з напівпровідником. Енергетична діаграма системи метал-напівпровідник у цьому випадку буде мати такий вигляд:
Рис. 4 Енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник n-типу провідності у випадку утворення анти запірного шару.
В даному випадку електрони із об'єму напівпровідника скочуються в область просторового заряду, дірки ж навпаки з приповерхневого шару рухаються в об'єм напівпровідника. Аналогічні процеси будуть відбуватися в області контакту металу з напівпровідником р-типу провідності. Однак, оскільки в напівпровіднику р-типу основними носіями є дірки, то при співвідношеннях WHП >WM, в напівпровіднику р-типу буде виникати запірний шар і такий контакт буде випрямляючим. Якщо WHП < WM, то для р-типу провідності буде виникати антизапірний шар і ефекту випрямлення спостерігатися не буде.
Читайте також:
|
||||||||||
|