МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||||||||
Магніторезистивні перетворювачіДля виготовлення магніторезистивних перетворювачів напруженості та індукції магнітного поля використовуються напівпровідники з високою рухливістю носіїв струму, зокрема антимонід індію, арсенід індію, евтектичні сплави антимоніду індію та антимоніду нікеля, а також телурид і селенід ртуті та інші напівпровідникові сплави. Основними характеристиками магніторезистивних перетворювачів є електричний опір R0 при відсутності магнітного поля, функція перетворення, тобто залежність опору від значення магнітної індукції, а також температурний коефіцієнт опору. Магніторезистивні перетворювальні елементи можуть виготовлятися у вигляді прямокутників, кілець або, з метою збільшення опору, у вигляді меандра. Виготовляють їх так. На ізоляційну підкладку 1 (рис. 2) приклеюють або закріплюють іншим способом напівпровідникову смужку 2 товщиною 15...30 мкм. Методом фототравлення магніторезистору надається необхідна форма, після чого наносять контакти і перевіряють його параметри. Рис. 2 – Зовнішній вигляд магніторезистора Як і для інших напівпровідникових перетворювачів, для магніторезисторів характерна значна температурна нестабільність опору. Магніторезистори мають помітну частотну залежність, яка, своєю чергою, залежить від форми магніторезистора.. Важливим параметром магніторезистивних перетворювачів магнітного поля є допустиме значення вимірювального струму Ідоп, що лімітується допустимим перегріванням перетворювача. Загалом Ідоп є складною функцією властивостей матеріалу чутливого елемента магніторезистивного перетворювача, його геометричних розмірів, індукції і визначається звичайно експериментально. Максимальне допустиме значення вимірювального струму потрібно вибирати в межах лінійної ділянки характеристики при максимальних значеннях магнітної індукції. Магніторезистори, як і перетворювачі Холла, можуть безносередньо застосовуватися для вимірювального перетворення індукції магнітного поля в напругу. Оскільки магніторезистор є пасивним перетворювальним елементом, то його необхідно вмикати в електричне коло, яке забезпечує протікання через нього електричного струму. Найчастіше магніторезистори вмикаються в мостові кола. При цьому; живлення мостового кола може бути здійсненим у режимах заданого струму, заданої напруги або заданої потужності. Від виду заданого режиму роботи мостової схеми залежить характер її функцій перетворення, тобто залежність і чутливість схеми. Залежно від вимірювального кола, в якому увімкнений магніторезистивнвй перетворювач, зміна вихідної напруги буде різною функцією перетворюваної індукції. Рис. 3 – Вимірювальні кола магніторезистивних перетворювачів
При відсутності магнітного поля, коли RВ=Ro, вихідна напруга мостового кола дорівнюватиме 0.
Контрольні запитання:
1. В чому полягає гальваномагнітний ефект Холла? 2. В чому полягає гальваномагнітний ефект Гауса? 3. Принцип дії та використання магніторезистивних перетворювачів. Читайте також:
|
||||||||||||||
|