МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Прийняті скороченняВСТУП Практичні рекомендації Описані процеси являють собою деяку складність при засвоєнні, бо включають багато ілюстраційного матеріалу, який до здачі іспиту необхідно добре запам’ятати ( конспектами та іншими інформаційними матеріалами під час іспиту користуватися суворо заборонено ). Тому студентам рекомендується повторювати даний матеріал ( з відтворенням необхідних формул, схем, рисунків ) до тих пір, доти зможуть подати відповідь на кожне питання безпомилково. ЗМІСТ 1. Вступ………………………………………….…………..4 2. Основна частина………………………...………………..5 2.1 Послідовність формування та схема технологічного процесу дифузійно-планарних ІМ……….…............5 2.2 Послідовність формування та схема технологічного процесу епітаксійно-планарних ІМ………….…….8 2.3 Послідовність формування та схема технологічного процесу V-канальних НІМС……………………...11 2.4 Послідовність формування та схема технологічного процесу виготовлення НІМС з діелектричною ізоляцією……………………………………………15 2.5 Впровадження домішок у напівпровідники шляхом термічної ………………...........................................19 2.6 Впровадження домішок у напівпровідники шляхом іонної імплантації………………………………...23 2.7 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення ІМС………………………....26 2.8 Загальна характеристика фотолітографічного процесу………….......................................................29 2.9 Схема технологічного процесу виготовлення товстоплівкових ГІМС. Характеристика та трафаретний друк товстоплівкових елементів…...34 2.10 Загальна характеристика методів та етапів складання ІМС……………………………………...38 3. Список рекомендованої літератури…………………...43
Дисципліна „Технологічні основи електроніки” пов’язана з вивченням студентами новітніх технологій виготовлення електронних приладів та процесів, що з ними пов’язані. Становлення електроніки можна віднести до початку ХХ ст., коли було винайдено електронну лампу-діод ( 1904 р. ). Пізніше, в 1948 р., був винайдений напівпровідниковий транзистор, що сприяло розвиткові напівпровідникової електроніки. Новий поштовх розвитку електроніки надали інтегральні мікросхеми, промисловий випуск яких розпочався в 60-х роках минулого століття. Мікросхема являє собою діелектричну підкладку ( кераміка, алюмокераміка і ін. ), на якій розташовані пасивні та активні елементи, що утворюють електричну схему, яка виконує визначену функцію. До пасивних елементів відносяться провідники, контактні площинки, резистори, конденсатори, котушки індуктивності; до активних – напівпровідникові елементи ( діоди, тріоди, багатоелектродні елементи ). Товщина плівкових пасивних елементів в тонкоплівкових мікросхемах – біля одного мікрометра, в товстоплівкових – від 10 до 70 мкм. Напівпровідникові прилади та інтегральні мікросхеми одержують шляхом формування елементів в тонкому шарі напівпровідникової пластини. Сучасний розвиток технології та матеріалів дозволяє створювати надвеликі інтегральні схеми, які стали основними компонентами мікропроцесорів і електронних обчислювальних машин. Такі схеми широко використовуються в побутових, комунікаційних, медичних, енергетичних, транспортних, військових, космічних та інших приладах і системах. Безперервне вдосконалення техніки і технології виробництва, розроблення нових схем, систем і засобів проектування зумовило швидке зростання продуктивності і зменшення вартості мікросхем. В даному посібнику подані варіанти відповідей на питання державного іспиту. Для розуміння викладеного матеріалу необхідні знання з фізики, фізичної хімії, фотохімії, технології виготовлення мікросхем, мікроелектроніки.
ІМС – інтегральна мікросхема; НІМС – напівпровідникова інтегральна мікросхема; ВІС – велика інтегральна мікросхема; НВІС – надвелика інтегральна мікросхема; ІЧ – інфрачервоне випромінювання; УФ- промені – ультрафіолетові промені; ВЧ - висока частота ; НВЧ – надвисока частота. Читайте також:
|
||||||||
|