МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
Особливості силових ланцюгів імпульсних стабілізаторів
Транзистор, що використовується у стабілізаторі в якості силового ключа, в режимі пропускання струму, тобто у відкритому стані, знаходитися в насичені. Це забезпечує малий опір ланцюга емітер-колектор і малі втрати потужності. Напруги на переходах транзистора знаходяться у такому співвідношенні
. Звідки маємо .
При глибокому насиченні напруга більш позитивна (для n-p-n транзистора), ніж напруга емітер-колектор (рисунки 4.7,а, 4.7, б), і напруга переходу база-колектор є від'ємною [3, 8].
Рисунок 4.7 – Напруги на переходах силових транзисторів, що працюють у імпульсних стабілізаторах
Якщо у якості силового ключа використати складений транзистор (рисунок 4.7, в), то з врахуванням відміченого, збільшення струму бази вхідного транзистора VT2 призводить до зростання струму його емітера тільки до тих пір, поки напруга колектор-база транзистора VT1, яка є одночасно напругою колектор-емітер транзистора VT2 є позитивною. Це не дозволяє перевести в режим глибокого насичення транзистор VT1 збільшенням струму бази транзистора VT2. Щоб сильніше наситити потужний транзистор VT1, використовують трохи іншу схему. В колекторне коло VT1 вмикають низькоомний резистор R (рисунок 4.8). Падіння напруги на ньому підвищує напругу транзистора VT2, що дозволяє глибше наситити транзистор VT1 [3, 8].
Рисунок 4.8 – Увімкнення резистора в колекторний ланцюг силового складеного транзистора імпульсного стабілізатора
Загальне падіння напруги на силовому ланцюзі колектор-емітер транзистора VT1 та резистор R при глибокому насиченні транзистора виявляється меншим, ніж на переході колектор-емітер транзистора VT1 (рисунок 4.7, в). Увімкнення резистора веде до втрати на ньому потужності. Усунути цей недолік можна використавши схему з’єднання, наведену на рисунку 4.9. Додаткова напруга в ланцюг колектора транзистора VT1 надходить тут з частини витків дроселя фільтра.
Рисунок 4.9 – Уведення додаткової напруги в ланцюг колектора силового транзистора імпульсного стабілізатора з частини витків дроселя
Особливості роботи силового ланцюга імпульсного стабілізатора пов’язані також з необхідністю форсованого закривання транзистора від’ємною напругою, а також зі зменшенням перенавантаження колекторного ланцюга комунікаційними струмами. Ці питання будуть розглянуті далі.
4.5 Структурна схема ланцюга керування стабілізатора з ШІМ
До складу структурної схеми ланцюга керування стабілізатора з ШІМ (рисунок 4.10) входять [6, 13]: дільник напруги навантаження, джерело опорної напруги ОН, схема порівняння, підсилювач постійного струму ППС (підсилювач сигналу розладу). Ці вузли можна будувати за схемами вузлів, які використовують у компенсаційних стабілізаторах, які розглядалися раніше.
Рисунок 4.10 – Структурна схема ланцюга керування стабілізатора з ШІМ
Крім перерахованих елементів схема стабілізатора з ШІМ містить: генератор сигналів пилкоподібної форми ГПН, схему порівняння, формувач імпульсів керування, імпульси якого надходять на базу силового транзистора імпульсного стабілізатора. У залежності від будови імпульсної частини стабілізатора пилкоподібна напруга на протязі періоду може зростати (рисунок 4.11, а), спадати (рисунок 4.11, б) або спочатку зростає, а потім спадає (рисунок 4.11, в) [13]. Перші дві форми напруги ШІМ використовують для керування відповідно моментами формування фронтів і зрізів, а остання використовується для формування фронтів і зрізів імпульсів. В цьому випадку реалізується одночасно і широтна, і частотна модуляція імпульсів [13]. Імпульс керуванняформується коли пилкоподібна напруга більша підсиленої напруги розладу (рисунок 4.10). Сформовані керуючі імпульси відкривають силовий ключ стабілізатора.
Рисунок 4.11 – Діаграми напруг в схемах керування імпульсних стабілізаторів
У стабілізаторі з ЧІМ напругою керування для частотного модулятора є напруга, яка знімається з виходу підсилювача ППС. Ця ж напруга є керуючою і в релейній схемі регулювання, в якій вона подається на пороговий пристрій.
Читайте також:
|
||||||||
|