Порядок наклеювання тензорезисторів клеєм типу БФ-2, ВС-350

Підготовка поверхні об`єкта для наклеювання тензорезисторів

V. НАКЛЕЮВАННЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРІВ

Процедура наклеювання тензорезисторів складається з виконання послідовності технологічних процесів. Якість клейового з`єднання, напряму, буде залежати від вдалого вибору клею та дотримання черговості виконання операцій по наклеюванню.

1. Очистити поверхню, призначену для наклеювання датчиків, від іржі, окалини та інших забруднень, металевою щіткою. Якщо поверхня забруднена жиром, воском, олією, або подібними речовинами, то її попередньо, необхідно промити толуолом ГОСТ-5789-78, або очищеним бензином і просушити на протязі 5 – 10 хвилин за кімнатної температури.

2. Зачистити поверхню шліфувальним папером, для одержання шерехатості класу не нижче . Слід слідкувати за тим, щоб поверхня набула матового відтінку і штрихи були напрямлені перпендикулярно напрямкові решітки тензодатчика. Допускаються будь-які методи надання шерехатості, наприклад, піскоструменевий, травлення та ін.

3. Загостреним металевим стрижнем нанести на поверхню, призначену для наклеювання тензорезисторів, лінії розмітки від яких будуть клеїти датчики. У місці, де вивідні провідники тензодатчика будуть припаюватися до з`єднувальних дротів, наклеїти клейку смужку так, щоб вони, після наклеювання тензодатчика, не торкалися поверхні деталі рис. 5.1.

Рис. 5.1. Розмітка поверхні під наклеювання тензодатчиків:

1 – лінія розмітки; 2- ізоляційна клейка смужка.

4. Протерти поверхню бязевими тампонами, змоченими ацетоном, далі етиловим спиртом, і накінець сухим. Просушити поверхню на повітрі протягом 10-25 хв. Після цього не можна торкатися пальцями до підготовленої поверхні, слід оберігати її від пилу та волосіння.

Всі подальші операції проводити відразу після операції 1.4.

На рис. 5.2 показано рекомендоване розташування тензодатчиків на поверхні досліджуваного об`єкту при різних типах навантаження. Цифрою один (1) зазначено досліджувальний об`єкт на якому розміщені активні тензодатчики (АД), а також тензодатчики, що одночасно виконують роль активних і компенсувальних (АД(КД)). Цифрою два (2) зазначено об`єкт, що виготовлений з того ж матеріалу, що і досліджувальний, який знаходиться в тих же самих зовнішніх умовах, але не навантажений. На ньому наклеєні компенсувальні тензодатчики (КД), які забезпечують температурну компенсацію вимірювальної схеми.

Рис. 5.2. Рекомендоване розташування тензодатчиків на поверхні досліджуваного об`єкту

при різних типах навантаження.

1. Валиком або пензликом нанести на підготовлену поверхню рівний шар клею завтовшки 10-20 мкм. Він не повинен мати бульбашок, механічних включень.

2. Просушити клеєвий шар на повітрі протягом 30 хв.

3. Помістити взірець в термостат і провести термообробку, при температурі 120⁰С, протягом двох годин. Швидкість підвищення температури 1 градус/хвилину.

Зауваження. Необхідно строго слідкувати за дотриманням згаданої товщини шару клею. Більша товщина може спричинити неякісне наклеювання тензорезисторів.

4. Протерти внутрішній бік тензорезистора бязевим тампоном, змоченим спочатку ацетоном, а потім етиловим спиртом, і на завершення - сухим. Просушити тензорезистор на повітрі протягом 10-15 хв. При подальших операціях тензорезистор тримати тільки за вивідні провідники.

5. Нанести на внутрішній бік тензорезистора пензликом або шпателем тонкий шар клею (10-15 мкм) і просушити на повітрі протягом 30 хв.

6. Нанести клей на внутрішній бік тензорезистора у двох точках по кутах.

7. Згідно ліній розмітки, накласти тензорезистор внутрішнім боком на підготовлену поверхню.

8. Накрити тензорезистор, послідовно, прокладками з фторопластової плівки або плівки типу ПМ-1, двох аркушів ватману, термостійкої гуми або войлоку та металевою пластиною. Розміри прокладок і пластини повинні перекривати габарити тензорезистора. Товщина металевої пластини повинна бути не менша ніж 5 мм.

9. Притиснути прокладки і пластину до поверхні за допомогою пресу (струбцини) з тиском 0.6-0.8 МПа.

Зауваження. При наклеюванні тензорезистора на деталь циліндричної форми, притискання здійснюється намотаною на закритий плівкою тензорезистор бязевою стрічкою. Намотування проводити з натягом. Число витків становить 10-15. Після цього бязеву стрічку закріплюють бандажем з нитки.

10. Помістити деталь в термостат і витримати при температурі 180⁰С дві години. Швидкість підняття температури 1 градус/хвилину. Вимкнути термостат і охолодити деталь разом з ним.

11. Звільнити деталь від прокладок і струбцин та протягом двох годин здійснити відкриту полімеризацію при температурі 220⁰С. Швидкість підвищення температури 1 градус/хвилину . Охолодити деталь разом з термостатом.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Клеї холодного стверднення	\|	Порядок наклеювання тензорезисторів ціакрином ЕО, СО-9,СО-9Т

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.