Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Загальні відомості.

Електронно-дірковий перехід

Лекція 2 Тема 2 Напівпровідникові прилади

1 Загальні відомості

2 Утворення переходу

3 Контакт метал – напівпровідник

Залежно від провідності електричного струму всі матеріали діляться на діелектрики, провідники й напівпровідників.

Діелектричні матеріали мають великий питомий опір і майже зовсім не проводять електричний струм.

Провідникові матеріали мають малий питомий опір і гарно проводять електричний струм. Напівпровідникові матеріали в чистому виді характеризуються більшим питомим опором і їх можна віднести до класу діелектриків. Провідність напівпровідника обумовлена присутністю домішок - матеріалів з більшою або меншою валентністю в порівнянні з напівпровідником. Найбільше поширення одержали германієві й кремнієві матеріали. Схематичне зображення кристалічних ґрат ідеального провідника на (рис. 1.1,а.).

Між атомами напівпровідника здійснюється ковалентний зв'язок, тобто валентні електрони кожного атома беруть участь в одержанні валентних оболонок інших атомів. При введенні в кристалічні ґрати п’ятивалентного елемента (рисунок 1.1,б), чотири електрони домішки беруть участь у ковалентному зв'язку із сусідніми атомами, а п'ятий електрон уже при температурі вище нуля розриває зв'язок зі своїм атомом і стає вільним електроном, що може брати участь в утворенні електричного струму, а атоми домішок перетворюються в позитивні іони.

Такі домішки називаються донорними, а напівпровідники – n-типу.

При впровадженні в кристалічні ґрати напівпровідника тривалентних елементів (рисунок 1.1,в) при температурі вище нуля відсутній четвертий електрон приєднуються від сусідніх атомів, створюючи негативний іон домішки й відсутність електрона в сусідньому атомі — "дірку". Такі домішки називаються акцепторними, а напівпровідники р-типа.

"Дірка" має позитивний заряд, дорівнює заряду електрона. Такі домішкі називаються акцепторними, а напівпровідники - з дірковою провідністю.

Таблиця 1.1

 

№ п/п Особливості Застосування
1. Високий питомий опір У всіх напівпровідникових приладах
2. Контактна різниця потенціалів  
3. Однобічна провідність у діодах, транзисторах, тиристорах
4. Електричний пробій у стабілітронах
5. Тунельний пробій у тунельних і звернених діодах
6. Випромінююча здатність у світлодіодах
7.   Чутливість до світлового потоку у фотодіодах, фототранзисторах, фототиристоpax, елементах сонячних батарей
8. Залежність прямої напруги від температури (-2мВ/град)   у первинних вимірювальних перетворювачах
9.   Залежність зворотного струму від температури (при збільшенні температури на 10° зворотний струм подвоюється) у функціональних перетворювачах температури
  р-n перехід створить перешкоду основним носіям заряду й допомагає переносу крізь перехід неонових носіїв у біполярних транзисторах  
  Чутливість до механічного впливу утензоприладах
  Чутливість до радіоактивного випромінювання  
Об'ємна ємність р-n переходу у варикапах

 

У таблиці 1.1 наведено основні особливості й властивості переходу.

 

 

а) б) в)

 

Рисунок 1.1 - Схематичне зображення кристалічних ґрат

 


Читайте також:

  1. II. ЗАГАЛЬНІ ПОЛОЖЕННЯ.
  2. V Практично всі психічні процеси роблять свій внесок в специфіку організації свідомості та самосвідомості.
  3. Білковий обмін: загальні відомості
  4. Вальниці ковзання. Загальні відомості
  5. Вимір дохідності та загальні підходи до оцінки ефективності управління інвестиційним портфелем.
  6. ВИМОГИ ДО ОБ'ЄМНО-ПЛАНУВАЛЬНИХ РІШЕНЬ ГАРАЖІВ Загальні вимоги
  7. Виникнення людської свідомості. Мова і свідомість.
  8. Власні і загальні іменники як лексико-граматичні розряди за специфікою виявлення категорії числа
  9. Встановлення заземлень. Загальні вимоги.
  10. Вступ. Загальні відомості про ідентифікацію.
  11. Вступ. Загальні питання охорони праці
  12. Грошові, загальні доходи та сукупні ресурси




Переглядів: 612

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Реальний конденсатор | Утворення переходу.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.003 сек.