В джерелах живлення радіотехнічних пристроїв частіше використовують германієві та кремнієві напівпровідникові діоди.
Основні їх параметри: постійний прямий та зворотній струми; імпульсне значення прямого струму; постійне падіння напруги на діоді при протіканні струму в прямому напрямі; зворотна напруга; порогова напруга – значення постійної напруги в точці перетину прямої, що апроксимує вольт-амперну характеристику діода (ВАХ) при великих струмах, з віссю напруги (рисунок 1.2) [6].
Рисунок 1.2 – Вольт-амперна характеристика діода
Діоди характеризують динамічним та диференційним опорами, які визначаються виразами:
, (1.1)
, (1.2)
де та – малі прирости напруги та струму.
Для спрощення аналізів процесів випрямлення реальну вольт-амперну характеристику 1 діода (рисунок 1.3), подають лінійною ломаною ідеального вентиля (2, пунктир), ідеального вентиля з втратами (3), чи ідеального вентиля з втратами та порогом (4) [3].
Рисунок 1.3 – Можливі апроксимації вольт-амперної характеристики діода
Порогова напруга для германієвих і кремнієвих діодів складає відповідно 0,15-0,2 та 0,4-0,8 В.