Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



СКЛАДЕНИЙ ТРАНЗИСТОР

Складений транзистор широко використовується в диференційних кас­кадах, які є основою операційних підсилювачів. Він складається з комбінації двох транзисторів, з’єднаних відповідним чином (схема Дарлiнгтона). Ця схема (рис. 5.10, а)має два транзистори, з’єднані колектори яких являють собою загальний колектор складеного транзистора, а до бази тра­нзистора VТ2 під'єднаний емітер транзистора VТl. При цьому база транзистора VТl і емітер транзистора VТ2 являють собою відповідно за­гальну базу і загальний емітер складеного транзистора.

На практиці такий складений транзистор створюють у процесі мон­тажу зовнішніх виводів двох дискретних транзисторів. При виробництві аналогових ІМС складений транзистор створюють в одній пластині напів­провідника з внутрішніми з’єднаннями в необхідних точках.

Особливістю складеного транзистора є високий коефіцієнт пере­дачі струму бази h21Ес . Оскільки

С1 = h21Е1В1

і

С2 = h2ІЕ2B2 = h21Е2Е1 = h21Е2(h21Е1 +l )B1,

то

С = С1 + С2 = h21Е2В1 + h21Е2(h21Е1 +l )B1.

Приймаючи до уваги, що В1 = В ,запишемо коефіцієнт передачі струму бази складеного транзистора

h21Ес = С /dІВ = h21Е1 + h21Е2 + h21Е1·h21Е2 = (h21Е1 + 1)(h21Е2 + 1) – 1. (5.32)

Оскільки звичайно виконуються нерівності h21Е1 >>1 і h21Е2 >>1, то

h21Ес h21Е1·h21Е2. (5.33)

У формулах (5.32) і (5.33) індекс "1" стосується параметрів транзистора VТl, а індекс "2" – транзистора VТ2

Рис. 5.10

Коефіцієнт підсилення за струмом складеного транзистора найповніше можна визначити за формулою (5.33), якщо номінальний вхідний струм тра­нзистора VТ2 дорівнює номінальному вихідному струму транзистораVТ1, тобто ІВ2 = ІС1ІЕ1 Тому транзистор VТ2 необхідно вибирати потужнішим (з більшою площею колектора).

Можна використовувати в складеному транзисторі однотипні транзисто­ри VТl і VТ2 (рис. 5.10, б) одного рівня потужності. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора VТ2 застосовують струмовідвідну ланку з низькоомного резистора R і транзистора VТ3. Останній працює в ак­тивному режимі, запобігаючи шунтуванню резистором R змінних складових сигналів в базі транзистора VТ2, що забезпечує високий h21Ес,крім того, тран­зистор в діодному ввімкненні має високу термостабільність режиму складено­го транзистори за постійним струмом.

 


Читайте також:

  1. Біполярний транзисторний ключ.
  2. Будова та принцип дії польового транзистора з p-n-переходом
  3. Будова, принцип роботи та характеристики МДН – транзисторів
  4. Будова, характеристики і параметри біполярного транзистора
  5. Визначення транзистора
  6. Діодно-транзисторні логічні елементи
  7. Загальний колекторний струм фототранзистора
  8. Каскади попереднього підсилення на транзисторах
  9. Ключі на польових транзисторах (ПТ).
  10. Ключовий режим праці біполярних транзисторів.
  11. КЛЮЧОВИЙ РЕЖИМ РОБОТИ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
  12. Ключовий режим роботи транзисторів




Переглядів: 769

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
ЕЛЕМЕНТАРНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ | ДИФЕРЕНЦІЙНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.002 сек.