МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
СКЛАДЕНИЙ ТРАНЗИСТОРСкладений транзистор широко використовується в диференційних каскадах, які є основою операційних підсилювачів. Він складається з комбінації двох транзисторів, з’єднаних відповідним чином (схема Дарлiнгтона). Ця схема (рис. 5.10, а)має два транзистори, з’єднані колектори яких являють собою загальний колектор складеного транзистора, а до бази транзистора VТ2 під'єднаний емітер транзистора VТl. При цьому база транзистора VТl і емітер транзистора VТ2 являють собою відповідно загальну базу і загальний емітер складеного транзистора. На практиці такий складений транзистор створюють у процесі монтажу зовнішніх виводів двох дискретних транзисторів. При виробництві аналогових ІМС складений транзистор створюють в одній пластині напівпровідника з внутрішніми з’єднаннями в необхідних точках. Особливістю складеного транзистора є високий коефіцієнт передачі струму бази h21Ес . Оскільки dІС1 = h21Е1dІВ1 і dІС2 = h2ІЕ2dІB2 = h21Е2dІЕ1 = h21Е2(h21Е1 +l )dІB1, то dІС = dІС1 + dІС2 = h21Е2dІВ1 + h21Е2(h21Е1 +l )dІB1. Приймаючи до уваги, що dІВ1 = dІВ ,запишемо коефіцієнт передачі струму бази складеного транзистора h21Ес = dІС /dІВ = h21Е1 + h21Е2 + h21Е1·h21Е2 = (h21Е1 + 1)(h21Е2 + 1) – 1. (5.32) Оскільки звичайно виконуються нерівності h21Е1 >>1 і h21Е2 >>1, то h21Ес ≈ h21Е1·h21Е2. (5.33) У формулах (5.32) і (5.33) індекс "1" стосується параметрів транзистора VТl, а індекс "2" – транзистора VТ2 Рис. 5.10 Коефіцієнт підсилення за струмом складеного транзистора найповніше можна визначити за формулою (5.33), якщо номінальний вхідний струм транзистора VТ2 дорівнює номінальному вихідному струму транзистораVТ1, тобто ІВ2 = ІС1 ≈ ІЕ1 Тому транзистор VТ2 необхідно вибирати потужнішим (з більшою площею колектора). Можна використовувати в складеному транзисторі однотипні транзистори VТl і VТ2 (рис. 5.10, б) одного рівня потужності. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора VТ2 застосовують струмовідвідну ланку з низькоомного резистора R і транзистора VТ3. Останній працює в активному режимі, запобігаючи шунтуванню резистором R змінних складових сигналів в базі транзистора VТ2, що забезпечує високий h21Ес,крім того, транзистор в діодному ввімкненні має високу термостабільність режиму складеного транзистори за постійним струмом.
Читайте також:
|
||||||||
|