• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

СКЛАДЕНИЙ ТРАНЗИСТОР

Складений транзистор широко використовується в диференційних кас­кадах, які є основою операційних підсилювачів. Він складається з комбінації двох транзисторів, з’єднаних відповідним чином (схема Дарлiнгтона). Ця схема (рис. 5.10, а)має два транзистори, з’єднані колектори яких являють собою загальний колектор складеного транзистора, а до бази тра­нзистора VТ2 під'єднаний емітер транзистора VТl. При цьому база транзистора VТl і емітер транзистора VТ2 являють собою відповідно за­гальну базу і загальний емітер складеного транзистора.

На практиці такий складений транзистор створюють у процесі мон­тажу зовнішніх виводів двох дискретних транзисторів. При виробництві аналогових ІМС складений транзистор створюють в одній пластині напів­провідника з внутрішніми з’єднаннями в необхідних точках.

Особливістю складеного транзистора є високий коефіцієнт пере­дачі струму бази h_21Ес . Оскільки

dІ_С1 = h_21Е1dІ_В1

і

dІ_С2 = h_2ІЕ2dІ_B2 = h_21Е2dІ_Е1 = h_21Е2(h_21Е1 +l )dІ_B1,

то

dІ_С = dІ_С1 + dІ_С2 = h_21Е2dІ_В1 + h_21Е2(h_21Е1 +l )dІ_B1.

Приймаючи до уваги, що dІ_В1 = dІ_В ,запишемо коефіцієнт передачі струму бази складеного транзистора

h_21Ес = dІ_С /dІ_В = h_21Е1 + h_21Е2 + h_21Е1·h_21Е2 = (h_21Е1 + 1)(h_21Е2 + 1) – 1. (5.32)

Оскільки звичайно виконуються нерівності h_21Е1 >>1 і h_21Е2 >>1, то

h_21Ес ≈ h_21Е1·h_21Е2. (5.33)

У формулах (5.32) і (5.33) індекс "1" стосується параметрів транзистора VТl, а індекс "2" – транзистора VТ2

Рис. 5.10

Коефіцієнт підсилення за струмом складеного транзистора найповніше можна визначити за формулою (5.33), якщо номінальний вхідний струм тра­нзистора VТ2 дорівнює номінальному вихідному струму транзистораVТ1, тобто І_В2 = І_С1 ≈ І_Е1 Тому транзистор VТ2 необхідно вибирати потужнішим (з більшою площею колектора).

Можна використовувати в складеному транзисторі однотипні транзисто­ри VТl і VТ2 (рис. 5.10, б) одного рівня потужності. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора VТ2 застосовують струмовідвідну ланку з низькоомного резистора R і транзистора VТ3. Останній працює в ак­тивному режимі, запобігаючи шунтуванню резистором R змінних складових сигналів в базі транзистора VТ2, що забезпечує високий h_21Ес,крім того, тран­зистор в діодному ввімкненні має високу термостабільність режиму складено­го транзистори за постійним струмом.

Читайте також:

1. Біполярний транзисторний ключ.
2. Будова та принцип дії польового транзистора з p-n-переходом
3. Будова, принцип роботи та характеристики МДН – транзисторів
4. Будова, характеристики і параметри біполярного транзистора
5. Визначення транзистора
6. Діодно-транзисторні логічні елементи
7. Загальний колекторний струм фототранзистора
8. Каскади попереднього підсилення на транзисторах
9. Ключі на польових транзисторах (ПТ).
10. Ключовий режим праці біполярних транзисторів.
11. КЛЮЧОВИЙ РЕЖИМ РОБОТИ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
12. Ключовий режим роботи транзисторів

Переглядів: 781