• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

Визначення транзистора

Транзистори

Транзисторомназивається напівпровідниковий прилад з трьома p-n-p або n-p-n-структурами, який може підсилювати вхідні сигнали, а принцип дії пояснюється на рис. 9.1а,б.

Емітер База Колектор

-

Рис. 9.1 - Структура транзисторів:

а – графічне позначення транзисторів різної структури;

б – принцип дії транзистора

Коли діють базові (Еб) та колекторні джерела електричного струму то тече базовий (Іб), емітер ний (Іе) та колекторний (Ік) електричні струми

причому Ік>>Іб. Якщо Іб зміниться в деякому напрямку, то пропорційно зміниться Ік у тому ж напрямку. А так як Ік>>Іб (в десятки-сотні разів), то відбувається підсилювання також в десятки-сотні разів. Статичний коефіцієнт підсилювання дорівнює Вст=Ік/Іб, а динамічний Вд=ΔІк/ΔІб, де ΔІк, ΔІб – прирощення струмів Ік, Іб). Підсилювальні можливості транзисторів характеризуються їх статичними вхідними та вихідними вольт-амперними характеристиками, які відображають залежності Іб=f(Uбе) при Uке=const i Ік=f(Uке) при Іб=const. Ці характеристики мають такий вигляд (рис.9.3). Вони знімаються експериментально за допомогою схеми, наведеною на рис. 9.2.

В даній схемі за допомогою реостатів R1, R2 можна змінювати струми Іб та Ік, а також потужність Uб, за допомогою мікро амперметра А1 і міліамперметра А2. Ці струми можна вимірювати, а за допомогою вольтметрів V1,V2 вимірюються потужність Uбе та Uке. За одержаними результатами вимірювань будуються відповідні графіки до кожної характеристики, знятої при різних значеннях відповідних констант. Потім розраховуються відповідні коефіцієнти підсилювання.

Транзистори можуть працювати в ланцюгах керування постійного та змінного струмів, на частоті до сотень ГГц. Для виконання лабораторної роботи необхідно вивчити теоретичні положення і вибрати вимірювальні прилади, виходячи з типу досліджуваного транзистора (табл. 9.1) і схеми дослідження.

В табл. 9.1 наведені основні параметри деяких транзисторів.

Таблиця 9.1

Рис. 9.2 - Принципова схема пристрою

Рис. 9.3 - Вольт-амперні характеристики транзистора:

а – вхідна, б – вихідна

Читайте також:

1. I визначення впливу окремих факторів
2. II. Визначення мети запровадження конкретної ВЕЗ з ураху­ванням її виду.
3. II. Мотивація навчальної діяльності. Визначення теми і мети уроку
4. Ocнoвнi визначення здоров'я
5. Алгебраїчний спосіб визначення точки беззбитковості
6. Аналіз службового призначення деталей та конструктивних елементів обладнання харчових виробництві, визначення технічних вимог і норм точності при їх виготовленні
7. Аналіз стратегічних альтернатив та визначення оптимальної стратегії формування фінансових ресурсів
8. Аналіз ступеня вільності механізму. Наведемо визначення механізму, враховуючи нові поняття.
9. Балансова теорія визначення статі. Диференціація статі і роль гормонів у цьому процесі.
10. Безстатеве розмноження, його визначення та загальна характеристика. Спори — клітини безстатевого розмноження, способи утворення і типи спор.
11. Біостратиграфічні методи визначення віку порід
12. Біуретовий метод визначення білків

Переглядів: 835