• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

Будова, характеристики і параметри біполярного транзистора

2.1. Будова біполярного транзистора

Біполярний транзистор – це керований напівпровідниковий прилад, який можна використати для підсилення електричних сигналів. Він складається з трьох шарів напівпровідникових матеріалів з почерговим розміщенням шарів p- і n-провідності, тобто має два p-n-переходи. Від кожного шару виведені електроди, які називаються емітером, базою і колектором. Спрощена будова та графічне позначення біполярного транзистора на схемах електроніки зображені на рис. 2.1.

Рис. 2.1. Спрощена будова та графічне зображення біполярних транзисторів типу p-n-p (а) та n-p-n (б)

Біполярні транзистори можуть мати будову типу p-n-p або n-p-n залежно від типу і черговості розміщення напівпровідникових матеріалів у структурі транзистора.

Біполярні транзистори виготовляють за сплавною технологією на основі (базі) напівпровідникової пластини з типом провідності n або p. Електрод, який виведений від цієї пластини, має назву “база”. Зовнішні електроди отримують наплавленням на матеріал бази іншого матеріалу з протилежним типом провідності. Основні носії зовнішних шарів (n чи p) визначають тип провідності транзистора. Під час сплавлення цих матеріалів внаслідок дифузії акцепторних чи донорних домішок утворюються зовнішні шари транзистора, які мають назву емітер та колектор. Утворені прилеглі

p-n-переходи називають відповідно емітерним та колекторним.

Якщо за базу взято пластину, наприклад, германію з n-провідністю, то емітер і колектор утворюють наплавленням шматочків індію (акцепторної речовини), а утворений транзистор буде мати будову типу p-n-p (рис. 2.1, а). Якщо за базу взято пластину германію з p-провідністю, то шари з провідністю типу n утворюють наплавленням донорної речовини (звичайно, сурми). Утворений транзистор буде мати будову типу n-p-n (рис. 2.1, б).

Читайте також:

1. V. Поняття та ознаки (характеристики) злочинності
2. Акустичні характеристики порід
3. Аналітичні параметри
4. Аналітичні параметри
5. Артеріальний пульс, основні параметри
6. Будова та принцип дії польового транзистора з p-n-переходом
7. Будова, принцип роботи та характеристики МДН – транзисторів
8. Будова, принцип роботи та характеристики тиристорів
9. Будова, форма скелетних м'язів
10. Бюджетна класифікація: будова, роль і призначення видатків.
11. Варіатори та їхні основні параметри

Переглядів: 7745