СTРУKTУРHІ СХЕМИ ОПЕРАЦІЙНИХ ПІДСИЛЮВАЧІВ

Найбільшого застосування набули в наш час трикаскадні і двокаскадні інтегральні ОП відповідно першого і другого поколінь. На рис. 6.4, а показано структурну схему трикаскадного ОП.

В цій схемі перший каскад - це простий диференційний підсилювач (ДП) з резистивним навантаженням, джерелом стабільного струму в колі емітерів, який має два входи і два виходи (див. рис. 5.12, а).Для підвищення вхідного опору і знижений статичних і дрейфових помилок цей каскад працює в режимі мікроамперних струмів, проте одержати високий коефіцієнт підсилення (див. формулу (5.43)) не можна.

Рис. 6.4

Другий каскад - підсилювач напруги (ПН), також виконаний за схемою диференційного підсилювача, працює в режимі міліамперних струмів і тому має значний коефіцієнт підсилення. Вихід цього каскаду по постійній складовій струму узгоджений з входом кінцевого підсилювача, який підсилює амплітуду сигналу (ПА) і складається з каскадів за схемами ЗЕ, ЗБ і ЗК. Найчастіше вихідний каскад створюється за схемою ЗК (емітерний повторювач), що забезпечує необхідне навантаження всієї схеми ОП. В підсилювачі амплітуди (ПА), що споживає основну частину струму всього підсилювача, остаточно формується амплітуда вихідного сигналу. Наявність в ПА емітерного повторювача (вихідний каскад) зумовлює низький вихідний опір ОП. Загальний коефіцієнт підсилення три каскадного ОП може досягати 100 000 і більше. Вхідні характеристики ОП повністю зумовлені вхідними характеристиками ДП, а вихідні - показниками кінцевого каскаду за відповідною схемою вмикання.

Вхідний диференційний опір ОП в мікрорежимі при великому опорі R_Е джерела стабільного струму виражається сумою вхідних опорів обох транзисторів ДП. З врахуванням виразу (5.36) його можна розрахувати за формулою

R_вх.д≈ 2h_11Е =[4тφ_т(h_2ІЕ+ l)]/І₀. (6.1)

Вихідний опір підсилювача зумовлюється відношенням ЕРС в режимі холостого ходу до змінної складової вихідного струму в режимі короткого замикання

R_вих≈ К_пU U_вх/І_вих.к.з.(6.2)

Транзистори ОП в інтегральному виконанні мають біполярну структуру n-р-n-типу. Незважаючи на малі вхідні ємності інтегральних транзисторів, кожний каскад характеризується власною сталою часу, яка задає частотну характеристику каскаду, тобто частотна характеристика всього ОП зумовлюється трьома сталими часу.

Промислова реалізація двокаскадних ОП (рис. 6.4, б) стала можливою після розробки інтегральних транзисторів p-n-p-типуіз задовільними малосигнальними параметрами і частотними властивостями, що дозволило застосувати в схемотехніці диференційні каскади з динамічним навантаженням, в яких підвищений коефіцієнт підсилення. Отже, подальша модернізація технології виготовлення інтегральних структур дала можливість функції першого і другого каскадів сполучити в одному каскаді підсилення (ДП). При цьому загальне підсилення двокаскадних ДП другого покоління зберігається на попередньому рівні, хоча виключається одна стала часу, що покращує частотні якості таких підсилювачів.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
ПЕРЕДАВАЛЬНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПЕРАЦІЙНИХ ПІДСИЛЮВАЧІВ	\|	ОПЕРАЦІЙНІ ПІДСИЛЮВАЧІ ЗАГАЛЬНОГО ПРИЗНАЧЕННЯ

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.