Моделі на постійному струмі.

Математичні моделі аналогових пристроїв.

Матричні моделі.

Топологічні моделі.

Ці моделі використовують математичний апарат теорії графів.

Граф G складається з кінцевої множини вершин V={V_i}, (i =1,2,..,n) та кінцевої множини ребер R ={r_ij}, (i,j=1,2,..,n).

Дві вершини називаються суміжними (V_i та V_j), якщо вони з’єднані ребром r_ij_.Множина ребер {r_i_к0}, з’єднаних з вершиною V_i , називаються інцидентними їй.

Вершині графа V_i ставиться у відповідність точка t_i на схемі з’єднань, а ребру r_ij - наявність електричного зв’язку між точками t_i і t ; Кожному провіднику з вузловою точкою t_s ставиться у відповідність підграф G_s (s = 1,2,..,m), де m – число вузлових точок. Підграф G_s є повним, тобто всі його вершини – суміжні, а всі підграфи G_s не зв’язані між собою.

Отже, топологічною моделлю з’єднань на друкованих платах є граф G , який складається з m не зв’язаних між собою повних підграфів G_s.

Щоб впевнитися у відсутності обривів в провіднику s, достатньо встановити суміжність кореневої вершини V_s з усіма вершинами підграфа G_s.

Для виявлення коротких замикань між провідниками S та U досить визначити відсутність суміжності між кореневими вершинами V_s та V_u підграфів G_s та G_u.

Граф G повністю характеризується матрицею суміжності. Матриця суміжності А = графа G з n вершинами є квадратною матрицею; елементи якої = 1, якщо вершина V_i суміжна з вершиноюV_j і = 0 в противному випадку.

B	C
C^T	D



C=

б)


Е =

в)

Рис.19. Матричний опис з’єднань електричного кола з трьох провідників 1,2,7 (див. Рис. 18):

а) матриця суміжностей А; б) скорочена матриця суміжностей С; в) матриця з’єднань Е.

Матриця А складається з чотирьох блочних матриць: В – завжди одинична діагональна матриця; C^T – транспонована до матриці С; D – квазідіагональна блочна матриця. Значення елементів матриці D цілком визначається значенням матриці С.

Отже матриця А є надлишковою і для повного опису з’єднань достатньо інформації, яка є в матриці С.

Якщо в матриці С елемент b_ij = 1, то це свідчить про належність точки j до провідника і, а b_ij = 0 свідчить про протилежне.

Кожен стовбець матриці Е відповідає провіднику всієї схеми (див. Рис.18 ), а номери в клітках означають молодший та старший номери кінцевих вершин, які відносяться до даного провідника.

В залежності від режимів діагностування є статистичні та динамічні ММ.

Статистичні ММ – режим постійного струму та режим періодичних синусоїдальних та не синусоїдальних сигналів.

Динамічні ММ – аналіз перехідних процесів за допомогою системи диф.рівнянь у формі Коші:

(41)

V_і – змінні стану. Звичайно використовується в якості V_і – U_с, І_L.

Для діагностування дефектів резисторів, різних ІС. Такі моделі підходять для пошуку коротких замикань та обривів провідників. Є два режими подачі тестових сигналів задана напруга і заданий струм. ММ постійного струму придатні для лінійних та нелінійних вузлів РЕА.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Математичні моделі з’єднань.	\|	Математичні моделі цифрових пристроїв

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.006 сек.