Конструкція та принцип дії біполярних транзисторів.
Класифікація, умовні позначення та маркування Основним елементом транзистора являється кристал германія або кремнію, в якому створені три області різної провідності. Дві крайні області завжди мають провідність одного типу, протилежного провідності середньої області. Середня область транзистора називається базою ,одна крайня область називається емітером, друга – колектором.
До кожної області припаяні виводи, за допомогою яких транзистор включається в схему.
Рис.5.2.Конструкція сплавного транзистора.
Конструктивно транзистори розрізняються в залежності від потужності і метода створення p-n переходів.
Для виготовлення транзисторів може бути використана сплавна або дифузійна технологія.
Розглянемо роботу біполярного транзистора. Зовнішня напруга до транзистора підключається таким чином, щоб забезпечувався зсув эміттерного переходу в прямому напрямку, а колекторного – у зворотному. Це досягається за допомогою двох джерел UЕ, і Uк. На мал. 6.3 показане включення p-n-p- транзистора за схемою із загальною базою. В емітерному переході потенційний бар'єр для дірок зменшується й дірки з емітера будуть переходити в область бази, а електрони - з бази в емітер. При цьому емітерний струм дорівнює сумі цих потоків:
Іе = Іер + Іеn
Діркова складова емітерного струму створюється потоком дірок з емітера в базу. Частина цього потоку досягає колектора, Рис..5.3. Розподіл концентрації (СБ) пройшовши через область бази. Ця частина дірок і різності потенціалів. створює колекторний струм Iк.
Електронна складова емітерного струму замикається через джерело UЕ й не бере участь у створенні колекторного струму.
Таким чином, емітер створює потік носіїв у базу. Цими носіями є дірки. Частина дірок досягає колектора, а частина рекомбінує з електронами бази.