Конструкція та принцип дії біполярних транзисторів.

Класифікація, умовні позначення та маркування Основним елементом транзистора являється кристал германія або кремнію, в якому створені три області різної провідності. Дві крайні області завжди мають провідність одного типу, протилежного провідності середньої області. Середня область транзистора називається базою ,одна крайня область називається емітером, друга – колектором.

До кожної області припаяні виводи, за допомогою яких транзистор включається в схему.

Рис.5.2.Конструкція сплавного транзистора.

Конструктивно транзистори розрізняються в залежності від потужності і метода створення p-n переходів.

Для виготовлення транзисторів може бути використана сплавна або дифузійна технологія.

Розглянемо роботу біполярного транзистора. Зовнішня напруга до транзистора підключається таким чином, щоб забезпечувався зсув эміттерного переходу в прямому напрямку, а колекторного – у зворотному. Це досягається за допомогою двох джерел U_Е, і U_к. На мал. 6.3 показане включення p-n-p- транзистора за схемою із загальною базою. В емітерному переході потенційний бар'єр для дірок зменшується й дірки з емітера будуть переходити в область бази, а електрони - з бази в емітер. При цьому емітерний струм дорівнює сумі цих потоків:

Іе = Іе_р + Іе_n

Діркова складова емітерного струму створюється потоком дірок з емітера в базу. Частина цього потоку досягає колектора, Рис..5.3. Розподіл концентрації (СБ) пройшовши через область бази. Ця частина дірок і різності потенціалів. створює колекторний струм I_к.

Електронна складова емітерного струму замикається через джерело U_Е й не бере участь у створенні колекторного струму.

Таким чином, емітер створює потік носіїв у базу. Цими носіями є дірки. Частина дірок досягає колектора, а частина рекомбінує з електронами бази.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Класифікація, умовні позначення та маркування	\|	Схеми включення біполярних транзисторів

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.005 сек.