2. Конструкція та принцип дії біполярних транзисторів.
3. Схеми включення біполярних транзисторів
Транзистором називається перетворюючий НП прилад, який має не менше трьох виводів (Е – емітер, Б – база, К- колектор), придатний для підсилення потужності. Найбільш розповсюджені транзистори мають два p-n-переходи. В них використовуються носії зарядів обох полярностей.
Групи транзисторів: біполярні, уніполярні (польові), фото транзистори.
Біполярний транзистор містить три області напівпровідника з типами провідності,, що чергуються, тобто два p-n переходи. Він може використовуватися для посилення потужності. Залежно від чергування шарів всі біполярні транзистори діляться на два типи: p-n-p та n-p-n (рис. 5.1.).
Рис.5.1. Схематична побудова та умовне позначення транзисторів
n-p-n (а) та p-n-p (б) типів
Для виготовлення транзисторів приймається два напівпровідникових матеріали: германій і кремній.
Залежно від потужності біполярні транзистори відносяться до одного із трьох класів: малої потужності при Pmax ≤ 0.3 Вт, середньої потужності при 0.3 Вт < Pmax ≤ 1.5 Вт або великої потужності Pmax > 1.5 Вт.
Залежно від швидкодії біполярні транзистори можуть бути низькочастотними при fтр ≤ 3 МГц, середньочастотними при 3 МГц < fтр <30 МГц, високочастотними при 30 МГц < fтр ≤ 300 МГц і СВЧ при fтр >300 Мгц.
Маркування транзисторів: ГТ109А- германевий малої потужності низькочастотний, різноманітність А; ГТ404Г – германевий середньої потужності низькочастотний, різноманітність Г: КТ316В – кременевий малої потужності високочастотний, різноманітність В і т.п.