• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

Схеми цифрових (логічних) елементів

Лекція №3.

Логічні елементи служать для виконання найпростіших логічних операцій над цифровою інформацією.

Існують 4 типи логічних елементів:

1. з діодно-транзисторною логікою (ДТЛ);

2. з транзисторною логікою і резистивним зв’язком (РТЛ);

3. з транзисторно-транзисторною логікою (ТТЛ);

4. з транзисторною логікою (ТЛ).

Схема НІ. Звичайно будують на основі транзисторних інвертуючих підсилювачів.

а) б)

Мал. 98. Схема “НІ” на логіки

ТЛ (а) та її часова (б) діаграма.

Схема ТЛ. Працює як звичайний ключ.

При відсутності вхідного сигналу транзистор закритий від’ємним зміщенням на базу від джерела U_д.ж.2.

При подачі на схему додатного (високий рівень1) імпульсу транзистор відкривається і на виході з’являється від’ємний імпульс (низький рівень - 0).

Таким чином виконується операція інверсії (логічного заперечення), тому НІ називають інвертором.

Схема АБО - частіше в інтегральному виконанні виконується на транзисторах (ТЛ).

VT1 та VT2 вмикаються паралельно на загальне емітерне навантаження.

Використовується в мікросхемах 137 та 138 серії.

Мал. 99. Схема АБО на логіці ТЛ.

В початковому стані обидва транзистори закриті від’ємним зміщенням на базі від Е_Б. Оскільки емітерний повторювач не підсилює напругу і не повертає фази вхідних сигналів, то при надходженні додатного сигналу (1) на будь-який вхід - відповідний транзистор відкривається, та на виході отримуємо такий же додатний потенціал (1) того же рівня.

Схема АБО може бути представлена діодною логікою.

Мал. 100. Схема АБО на ДЛ.

Логічний елемент приєднаний до від’ємного полюсу джерела живлення -Е_К.

Діоди відмикаються при більш від’ємних потенціалах на їх катодах.

Тому -Е_К зручно прийняти за 0, а більш від’ємні потенціали входів

за 1.

Схема І. Логічну схему І в інтегральному виконанні звичайно виконують на діодах.

а) б)

Мал. 101. Схема І на ТЛ (а),

її часова діаграма (б).

Імпульси на входи поступають в різному сполученні.

R- струмообмежуючий опір.

R - oбирається достатньо великим, щоб джерело живлення Е_К працювало в режимі джерела струму.

В цьому випадку незалежно від числа діодів, що відкриваються, крізь R проходить один і той же струм.

Будь який з діодів відкривається, коли потенціал на його аноді більш додатній, ніж -Е_К.

В цьому випадку за 1 приймається -E_K, а більш додатні потенціали відповідно 0.

Для компенсації послаблення сигналу, або для розв’язки з навантаженням, на виході такої схеми вмикається транзистор (ДТЛ). При низькому потенціалі на всіх входах (0) всі діоди відкриті. При цьому крізь всі резистори R1 та R2 та діоди протікає струм від джерела живлення U_д.ж., замикаючись крізь входи джерел вхідних сигналів.

Мал. 102. Схема І-НІ на ДТЛ.

Так як сумарний опір R1+R2 набагато більше опору діодів, зміщених в прямому напрямку, напруга на виході діодів (вивід бази транзистора), а також на виході транзистора (вивід емітера) близька до 0. При надходженні на один із входів потенціалу U > U_д.ж. (1), відповідний діод закривається, проте інші діоди відкриті, а тому коли на виході зберігається 0.

Тільки коли на всіх входах з’явиться 1, всі діоди закриються, струми діодів крізь R1 та R2 дорівнюватимуть 0 і напруга на виході діодів (тобто виході схеми) стрибком досягне значення +U_д.ж.­ (1). Якщо логічний елемент І має більше входів, ніж сигналів, то входи, що не використовуються, з’єднують з “плюсом” джерела живлення. Ці діоди будуть завжди закриті, що зменшує кількість завад на виході схеми.

Схема І-НІ. В цій схемі сигнал на виході відсутній тільки тоді (0), коли сигнали одночасно надходять на всі входи. В інших випадках на виході сигнал відповідає 1. Звичайно виконуються за типом ДТЛ та ТТЛ.

В першій схемі з трьома входами з розширенням по І (мікросхема К1ЛБ091А-Г) операцію І здійснює діодна частина (VD1-VD3) з резисторами R1, R2 та транзистором VT1.

Підсилювальний каскад-інвертор на транзисторі VT2 виконує операцію НІ.

Мал. 103. Схема І-НІ на ДТЛ.

Діод VD5, що зв’язує діодну частину з інвертором, служить для надійного запирання транзистору VT2, потенціал бази якого нижче потенціалу точки А на величину прямого падіння напруги на діоді.

При низькому потенціалі на всіх входах (0) діоди VD1-VD3 відкриті, забезпечуючи потенціал точки А близьким до 0. Транзистор VT2 завдяки наявності діоду VD5 надійно закритий і потенціал колектора (на виході схеми) практично дорівнює U_{д.ж.2­­­} (1). 1 на виході буде існувати до тих пір, доки на всі входи не надійдуть сигнали високого рівня (1). При цьому діоди VD1-VD3 закриються , потенціал точки А підвищиться до +U_д.ж.1, а транзистор ввійде в режим насичення з низьким потенціалом колектора (0), що відповідає логічній операції І-НІ.

Схема ТТЛ. (мікросхема 134ЛА2А-Б) характеризується більш високою швидкодією.

Мал. 104. Схема І-НІ на ТТЛ.

В цій схемі операцію І реалізує багатоемітерний транзистор VT1, а операцію НІ - складний інвертор на транзисторах VT2-VT4. Якщо на всі емітери транзистора VT1 надходить високий потенціал (1), то всі переходи емітер-база зміщуються в зворотному напрямку (закриті), а перехід база-колектор за рахунок напруги джерела U_д.ж. - в прямому. Струм колекторного переходу VT1, який протікає крізь перехід емітер-база транзистора VT2, введе останній в режим насичення. Завдяки цьому транзистор VT3 закритий низьким потенціалом колектора насиченого транзистора VT2, а транзистор VT4 - насичений через наявність високого потенціалу в т. А (на його вході). Це забезпечує майже 0 потенціал на виході схеми (0).

Якщо хоча б на один вхід схеми поступає сигнал логічного 0, то транзистор VT2 ввійде в режим відсічки, забезпечує відкривання високим потенціалом колектора транзистора VT3, який в цьому випадку працює як емітерний повторювач.

Схема АБО-НІ.

Мал. 105. Схема АБО-НІ на ТЛ.

Транзисторний варіант схеми АБО-НІ на 4 входи (один елемент мікросхеми 115ЛЕ2), виконаний за типом ТЛ. Схема працює як елемент НІ з кількома входами. При низькому потенціалі на входах (0) транзистори закриті і на виході маємо 1 (напруга +U_д.ж.). Якщо хоча б до одного з входів прикласти високий потенціал (1), то відповідний цьому входу транзистор ввійде в режим насичення, і потенціал колекторів всіх транзисторів (вихід схеми) знизиться до 0 (0). Таким чином реалізується логічна операція АБО-НІ.

В цій схемі операцію І реалізує багатоемітерний транзистор VT1, а операцію НІ - складний інвертор на транзисторах VT2-VT4. Якщо на всі емітери транзистора VT1 надходить високий потенціал (1), то всі переходи емітер-база зміщуються в зворотному напрямку (закриті), а перехід база-колектор за рахунок напруги джерела U_д.ж. - в прямому. Струм колекторного переходу VT1, який протікає крізь перехід емітер-база транзистора VT2, введе останній в режим насичення. Завдяки цьому транзистор VT3 закритий низьким потенціалом колектора насиченого транзистора VT2, а транзистор VT4 - насичений через наявність високого потенціалу в т. А (на його вході). Це забезпечує майже 0 потенціал на виході схеми (0).

Якщо хоча б на один вхід схеми поступає сигнал логічного 0, то транзистор VT2 ввійде в режим відсічки, забезпечує відкривання високим потенціалом колектора транзистора VT3, який в цьому випадку працює як емітерний повторювач.

Схема АБО-НІ.

Мал. 105. Схема АБО-НІ на ТЛ.

Транзисторний варіант схеми АБО-НІ на 4 входи (один елемент мікросхеми 115ЛЕ2), виконаний за типом ТЛ. Схема працює як елемент НІ з кількома входами. При низькому потенціалі на входах (0) транзистори закриті і на виході маємо 1 (напруга +U_д.ж.). Якщо хоча б до одного з входів прикласти високий потенціал (1), то відповідний цьому входу транзистор ввійде в режим насичення, і потенціал колекторів всіх транзисторів (вихід схеми) знизиться до 0 (0). Таким чином реалізується логічна операція АБО-НІ.

Читайте також:

1. II. За зміною ступенів окиснення елементів, які входять до складу реагуючих речовин
2. VІ. Структурно-логічні схеми
3. Автомобільні ваги із застосуванням цифрових датчиків
4. Алгоритми та блок-схеми
5. Аналіз службового призначення деталей та конструктивних елементів обладнання харчових виробництві, визначення технічних вимог і норм точності при їх виготовленні
6. Блоки схеми алгоритму
7. Будова атомів хімічних елементів.
8. Будова нагрівальних елементів
9. Валентність — це здатність атомів одного елемента сполу­чатися з певним числом атомів інших елементів під час утворення хімічних сполук.
10. Взаємозв’язок елементів управління
11. Виберіть 2 положення, які треба добавити у визначення елементів наукової проблеми.
12. Вибір схеми підключення абонентів залежно від режимів тиску.

Переглядів: 1030