Покращення характеристик транзисторних ключів (ТК).

Коли транзистор насичений, в ньому є залишкова електрорушійна сила ЕРС. В режимівідсічки транзистор представляє собою генератор струму (рис 2.3).Приблизні значення в режимах відсічки та насичення :

е_зал=1мВ … 100 мкВ r_зал=50 …20 Ом R_зт=5…10 Мом І_зал=1…100 мкА

Рисунок 2.3. Еквівалентна схема транзисторного ключа

Щоб зменшити залишкову ЕРС застосовується включення 2-х транзисторів (рис 2.3) :

Дана схема використовує компенсаційне інверсне включення транзисторів для компенсації залишкових ЕРС двох транзисторів і зменшення паразитного проходження струму із кола управління на вихід схеми.

Для кремнієвого транзистора 1КТ011А

е_зал=20мВ … 50 мкВ

r_зал=100 Ом

R_зт=10 МОм

У даної схеми є недолік – необхідно ізолювати джерело управління від загальної схеми, тому застосовують трансформатор або оптронні пари рис 2.5 та рис 2.6.

Набір ключів К249КН1 з оптронною розв’язкою та зустрічним включенням p-n-p транзисторів (рис 2.5) має такі характеристики:

е_зал=200 мкВ R_вих=200 Ом І_вх=20 мА U_вх=3,5 B , напруга ізоляції U_ізол=150 B ,

час включення t_вкл=10 мкс.

Оптронна пара АОТ1011 на базі фототранзисторів (рис 2.6) має напругу ізоляції U_ізол=1500 B.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Перехідні процеси в транзисторному ключі.	\|	Підвищення швидкодії ТК.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.