Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Перехідні процеси в транзисторному ключі.

Нехай в початковому стані транзистор знаходиться в режимі відсічки під дією вхідної запираючої напруги UУПР 1.При приході на вхід в момент часу t=t1 перепаду відпираючої напруги UУПР 2 емітерний перехід транзистора зміщується в прямому напрямку, а базовий струм стрибком досягає значення IБ1 =S×IБН (рисунок 2.2). Колекторний струм буде наростати за законом :

, (2.9)

де tb= h21ta ; ta=1/(2pfa);

fa - гранична частота підсилення струму в схемі „спільна база”.

За час t=tф1 колекторний струм набуде значення

iK(t)= IКH =h21IБH

Отже тривалість стадії вмикання ключа :

, (2.10)

при S>>1

Тобто за час tф1 напруга UВИХ досягає значення UKH і, починаючи з моменту часу t=t2, транзистор буде знаходитися в режимі насичення. Струми iб, іЕ та іК залишаться практично незмінними і в області бази відбувається накопичення надлишкового заряду неосновних носіїв за експоненційним законом з сталою часу tН. Повне накопичення заряду до рівня Iб1tН відбудеться за час 3tН, після чого транзистор опиниться в стаціонарному режимі.

В момент часу t=t3 на вхід системи подається запираюча напруга, під дією якої базовий струм стає рівним IБ2. Процес розімкнення ключа складається зі стадії розсмоктування надлишкового заряду неосновних носіїв tроз та стадії запирання транзистора tф2 .

Для стадії розсмоктування формується зміна струму іk(t) за експоненційним законом (точки А, В, С рисунок 2.2) при цьому діє стрибок базового струму ІБ1 + ІБ2, відповідно

.

Для інтервалу tроз

або

, (2.11)

де .

Тривалість tроз визначає затримку в вимиканні транзисторного ключа. Вона зменшується при збільшенні запираючого струму Iб2 та зменшенні коефіцієнта насичення S.

В момент закінчення стадії розсмоктування (t=t4) транзистор входить в активну область і починається процес його закривання. Колекторний струм спадає за експоненційним законом зі сталою часу tb від початкового значення IКH.

Має місце співвідношення

або

(2.12)

Колекторна напруга змінюється від UKH до UВХ-IK0RК. На тривалість стадій tф1 та tф2 впливає бар’єрна ємність колекторного переходу СК та ємність навантаження СН. Для врахування їхнього впливу в формулах (2.10) та (2.12) необхідно замінити tb на t’b :

t’b=tb+RKCå , де Cå=h21CK+CH.

Наведені співвідношення дозволяють вибрати режим та параметри єлєментів схеми ключа




Читайте також:

  1. V Практично всі психічні процеси роблять свій внесок в специфіку організації свідомості та самосвідомості.
  2. Блок 1. Соціально-демографічні та міграційні процеси.
  3. Важелі впливу на процеси розвитку ринку капіталу.
  4. Виробничий, технологічний і трудовий процеси
  5. Виробничі процеси, їх класифікація і принципи організації
  6. Вплив нового зовнішньополітичного мислення, американо-радянського співробітництва на світові процеси
  7. Вплив опромінення на процеси старіння
  8. Вплив рослин та тваринних організмів на процеси переносу
  9. Вплив світових фінансових криз на процеси глобалізації.
  10. Вплив суб’єктивних факторів на процеси управління ризиком
  11. Геодинамічні процеси у озерах і болотах
  12. Геологічні процеси і явища




Переглядів: 768

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Біполярний транзисторний ключ. | Покращення характеристик транзисторних ключів (ТК).

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.001 сек.