МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
Перехідні процеси в транзисторному ключі.Нехай в початковому стані транзистор знаходиться в режимі відсічки під дією вхідної запираючої напруги UУПР =Е1.При приході на вхід в момент часу t=t1 перепаду відпираючої напруги UУПР =Е2 емітерний перехід транзистора зміщується в прямому напрямку, а базовий струм стрибком досягає значення IБ1 =S×IБН (рисунок 2.2). Колекторний струм буде наростати за законом : , (2.9) де tb= h21ta ; ta=1/(2pfa); fa - гранична частота підсилення струму в схемі „спільна база”. За час t=tф1 колекторний струм набуде значення iK(t)= IКH =h21IБH Отже тривалість стадії вмикання ключа : , (2.10) при S>>1 Тобто за час tф1 напруга UВИХ досягає значення UKH і, починаючи з моменту часу t=t2, транзистор буде знаходитися в режимі насичення. Струми iб, іЕ та іК залишаться практично незмінними і в області бази відбувається накопичення надлишкового заряду неосновних носіїв за експоненційним законом з сталою часу tН. Повне накопичення заряду до рівня Iб1tН відбудеться за час 3tН, після чого транзистор опиниться в стаціонарному режимі. В момент часу t=t3 на вхід системи подається запираюча напруга, під дією якої базовий струм стає рівним IБ2. Процес розімкнення ключа складається зі стадії розсмоктування надлишкового заряду неосновних носіїв tроз та стадії запирання транзистора tф2 . Для стадії розсмоктування формується зміна струму іk(t) за експоненційним законом (точки А, В, С рисунок 2.2) при цьому діє стрибок базового струму ІБ1 + ІБ2, відповідно . Для інтервалу tроз
або , (2.11) де . Тривалість tроз визначає затримку в вимиканні транзисторного ключа. Вона зменшується при збільшенні запираючого струму Iб2 та зменшенні коефіцієнта насичення S. В момент закінчення стадії розсмоктування (t=t4) транзистор входить в активну область і починається процес його закривання. Колекторний струм спадає за експоненційним законом зі сталою часу tb від початкового значення IКH. Має місце співвідношення або (2.12) Колекторна напруга змінюється від UKH до UВХ-IK0RК. На тривалість стадій tф1 та tф2 впливає бар’єрна ємність колекторного переходу СК та ємність навантаження СН. Для врахування їхнього впливу в формулах (2.10) та (2.12) необхідно замінити tb на t’b : t’b=tb+RKCå , де Cå=h21CK+CH. Наведені співвідношення дозволяють вибрати режим та параметри єлєментів схеми ключа Читайте також:
|
||||||||
|