Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Електрон

Впровадження домішки у напівпровідники шляхом термічної дифузії

Для надання окремим, топологічно визначеним ділянкам напівпровідникової пластини відповідних електрофізичних властивостей при виготовленні мікросхем застосовується термодифузія.

Якщо в кремній ввести п`ятивалентний елемент ( наприклад- фосфор ), то чотири з п`яти електронів вступлять у зв`язок з чотирма електронами сусідніх атомів кремнія і утворять оболонку з 8-и електронів. П’ятий електрон легко відривається від ядра п`ятивалентного елемента і стає вільним. ( Атом домішки перетворюється в нерухомий іон із зарядом плюс ). Ці вільні електрони додаються до власних вільних електронів. Тому провідність стає електронною. Такі провідники називаються електронними або провідниками n – типу. Домішки, які обумовлюють таку провідність називаються донорними ( вони „віддають” електрони в гратку ) - див. рис. 1а.

 

 

 

а) іон Вільнийб)

 

 

 

Рисунок 1 - Заміщення атомами домішок основних атомів решітки.

а) донорна домішка ( утворюється вільний електрон );

б) акцепторна домішка ( утворюється вільна дірка ).

 

Якщо ввести в кремній атом тривалентного елемента ( наприклад - бору, алюмінію ), то всі його тривалентні електрони вступлять у зв`язок з чотирма електронами сусідніх атомів кремнію.

Для утворення стійкої восьмиелектронної оболонки потрібний додатковий електрон. Такий електрон відбирається від найближнього атома кремнію. В результаті утворюється незаповнений зв`язок – дірка, а атом домішки перетворюється в нерухомий іон з від’ємним зарядом. Такі напівпровідники називають «дірковими» або p-типу. Домішки, які обумовлюють р-провідність називаються акцепторними.

Процес введення домішки найчастіше проводиться методом термодифузії. Для інтенсифікації процесу пластина підігрівається до високої температури.

Теоретичною основою процесу дифузії є два закони Фіка. Перший закон Фіка стверджує: якщо в замкнутому середовищі має місце градієнт концентрації речовини, то виникає потік, густина якого для одновимірного напрямку потоку визначається за формулою:

, (1)

де - градієнт концентрації дифундуючої речовини; D – коефіцієнт дифузії дифундуючої речовини; N - концентрація дифундуючої речовини. Знак мінус у даній формулі означає, що потік виникає в напрямку зменшення концентрації.

 

Коефіцієнт дифузії є величина залежна від температури. Ця залежність описується рівнянням:

, (2)

де D0 – температурно незалежний коефіцієнт, або коефіцієнт дифузії речовини при температурі рівній нескінченності; EА– енергія активації дифундуючої речовини, T – температура, при якій проводиться процес дифузії; k-стала Больцмана (k=1,38·10-23 Дж/К).

 

Крім температури, процес дифузії є залежним також від часу, що не відображені в першому законі Фіка. Отже, при наявності градієнту концентрації виникає потік, що визначає залежність концентрації речовини в даному середовищі від часу, поки не встановиться рівновага. Якщо розглядати цей процес в одномірному просторі і виходити із закону збереження маси, то зміна концентрації в часі буде визначатися зміною потоку з відстаню:

(3)

Ця формула відображає суть другого закону Фіка .

Аналізуючи закони Фіка, можна одержати дані про розподіл дифундуючої домішки в напівпровідниковій пластині, як в просторі, так і в часі, що є дуже важливим при розрахунку електричних характеристик елементів напівпровідникових інтегрованих мікросхем.

 

 


Читайте також:

  1. G2G-модель електронного уряду
  2. S –, p –, d –, f – електрони.
  3. Автомобільні електроні ваги CAS RW-15P
  4. Алгоритми шифрування в електронних картах
  5. Аналогові обчислювальні електронні машини.
  6. Багатоелектронні атоми.
  7. Безпека праці під час експлуатації електронно-обчислювальних машин
  8. Бюлетені та інші інформаційні матеріали, електронні видання
  9. В електронагрівачах використано одну з головних власти­востей електричного струму - здатність нагрівати провідники.
  10. Визначальні риси освітніх електронних бібліотек
  11. Виникнення, суть і функції грошей. Особливості функціонування паперових грошей за сучасних умов. Роль золота. «Електронні гроші».
  12. Відповідність форм первинних документів з обліку фінансово-розрахункових операцій та їх електронних аналогів




Переглядів: 725

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
ОСНОВНА ЧАСТИНА | Впровадження домішки у напівпровідники шляхом іонної імплантації

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.015 сек.