• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА НАПIВПРОВIДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ

Проведено по п’ять випробувань на кожному з чотирьох рівній фактора F. Методом дисперсійного аналізу при рівні значущості 0,05 перевірити нульову гіпотезу про рівність групових середніх . Вважається, що вибірки вибрані з нормальних сукупностей з однаковими дисперсіями. Результати випробувань наведені в таблиці.

Номер випробування, і	Рівні фактора
F1	F2	F3	F4
	51,6	62,6	61,0	57,0

Список літератури

1. Шкіль М.І. та ін. Алгебра і початки аналізу: Підручник для 10-11 класів серед. закладів освіти/ М.І. Шкіль, З.І. Слєпкань, О.С. Дубинчук,– К.: Зодіак ̶ ЕКО,

1998. –608с.

2. Математика для техникумов. Алгебра и начала анализа: Учебник Ч.2/Каченовский М.И. и др.; Под ред. Г.Н.Яковлева.– М.:Наука.Гл.ред.физ.-мат.лит., 1988. – 272с.

3. Вища математика: спеціальні розділи: Підручник: У двох книгах.Книга 2/ Г.Л.Кулініч, Є.Ю. Таран та ін.; За ред. Г.І. Кулініча.– К.: Либідь, 1996, – 336 с.

4. Гмурман В.Є. Руководство к решению задач по теории вероятностей и математической статистике. Учеб.пособие для втузов.– М.: „Высш. школа”,

1975, –333с.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА НАПIВПРОВIДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ

У напівпровідникових приладах використовуються ефекти, обумовлені переміщенням заряду в твердому тілі. Вони призначені для пiд­силення, генерації та перетворення електричних сигналiв. Параметри напівпровідникових приладів визначаються геометричними розмірами i властивостями напiвпровiдника, на яких ґрунтується дія приладу.

При виготовленні напівпровідникових приладів, а також інтегральних мікросхем найчастіше використовують такі напiвпровiдни­ки, як германій, кремній та арсенід галію. До напiвпровiдникiв відносять також селен, телур, оксиди, карбіди та сульфіди деяких хімічних елементів. Напівпровідникові матеріали мають тверду кристалічну структуру i за своїм питомим опором (ρ = 10^-4...10¹⁰ Ом·см) займають проміжне місце між провідниками електричного струму (ρ = 10^-6...10^-4 Ом·см) i діелектриками (ρ = 10¹⁰... 10¹⁵ Ом·см).

Більшість напівпровідникових приладів, що застосовуються в пристроях промислової електроніки, можна поділити на такі групи: напiвпровiдниковi діоди, транзистори, тиристори. Напівпровідникові діоди - це двохелектродні прилади, транзистори - трьохелектродні. Тиристори виготовляють як у двохелектродному (динiстори), так і в трьохелектродному (тринiстори) виконанні. Основою напівпровідникових приладів названих груп є кристал напiвпровiдника з одним або кількома р-n-переходами.

Малопотужні напiвпровiдниковi прилади виготовляються як дискретними (окремими), так i в інтегральних схемах, потужні силові пристрої - в дискретному виконанні. Технологія виготовлення приладів суттєво впливає на їх технічні та експлуатаційні показники.

Читайте також:

1. I. Загальна характеристика політичної та правової думки античної Греції.
2. II. ВИРОБНИЧА ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОФЕСІЇ
3. II. Морфофункціональна характеристика відділів головного мозку
4. Ni - загальна кількість періодів, протягом яких діє процентна ставка ri.
5. Аварії на хімічно-небезпечних об’єктах та характеристика зон хімічного зараження.
6. Автобіографія. Резюме. Характеристика. Рекомендаційний лист
7. Автокореляційна характеристика системи
8. Амплітудно-частотна характеристика, смуга пропускання і загасання
9. Анатомо-біомеханічна характеристика положень і рухів тіла
10. Аплікація як вид образотворчої діяльності дошкільнят, його характеристика.
11. Архітектура СЕП та характеристика АРМ-1, АРМ-2, АРМ-3
12. Афіксальні морфеми. Загальна характеристика

Переглядів: 577