Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Фотовольтаїчний ефект в напівпровідниках з електронною неоднорідністю. Струм короткого замикання і напруга холостого ходу

 

Фотовольтаїчний ефектявляє собою виникнення е.р.с. при освітленні напівпровідника. Як правило, фотовольтаїчний ефект спостерігається при наявності просторової неоднорідності електричних властивостей кристалу.

Освітимо напівпровідниковий перехід і підєднаємо до контакту фотоелементу деякий резистор. Світло генерує електронно-діркові пари. Світло збільшує концентрацію, в основному, неосновних носіїв заряду. Кількість основних носіїв заряду при освітленні слабо змінюється за рахунок їх великої рівноважної концентрації. Вбудоване електричне поле розділяє генеровані світлом неосновні носії заряду: електрони дрейфують від діркового напівпровідника до електронного, а дірки – навпаки. При цьому в замкнутому колі, яке містить освітлений перехід, потече електричний струм. Цей струм іде в тому ж напрямку, в якому протікав би запірний струм при підєднанні до переходу електричної напруги відповідної полярності. Створений світлом струм називається генераційним струмом. Якщо опір резистора, включеного в коло фотоелемента малий (режим короткого замикання), то різниця потенціалів між лівим і правим контактами буде рівна нулю. При цьому, висота дифузійного бар’єру eUd, а також напруженість електричного поля, яке існує в перехідній області, залишиться практично незмінним. Генераційний струм, який приводиться в рух цим полем, суттєво зросте при освітленні внаслідок зростаючої швидкості генерації вільних носіїв, які цей струм переносять.

Рекомбінаційний струм, який являє собою струм дифузії основних носіїв заряду, залишається незмінним, так як струм залежить лише від різниці потенціалів між електронною і дірковою областями р-n-переходу. Таким чином, через освітлений короткозамкнутий елемент протікає фотострум, який називається струмом короткого замикання Isc і представляє собою різницю між генераційним струмом, який суттєво збільшився і рекомбінаційним струмом, який майже не змінився.

Якщо розімкнути коло, яке містить фотоелемент продовжуючи збуджувати струм світлом (режим холостого ходу), то нерівноважні електрони, які під дією контактного поля перейшли з діркового напівпровідника в електронний і нерівноважні дірки, які перейшли із електронного напівпровідника в дірковий, не зможуть піти по зовнішньому колу. Електрони, які накопичуються в напівпровіднику n-типу, знижують потенціал цієї ділянки, а дірки, які накопичуються в напівпровіднику р-типу, підвищують його потенціал. На контактах розімкнутого фотоелемента створюється деяка різниця потенціалів, яка називається ЕРС холостого ходу Uос. Електрорушійна сила зменшує висоту початкового існуючого енергетичного бар’єру настільки, щоб рекомбінаційний струм, який при цьому зріс, скомпенсував приріст генераційного струму. Таким чином, і в розімкнутому освітленому елементі, і в затемненому в протилежних напрямках протікають рівні по величині генераційний і рекомбінаційний струми. Однак при освітленні ці струми мають набагато більшу величину, ніж при затемнені.


Читайте також:

  1. D) оснащення виробництва обладнанням, пристроями, інструментом, засобами контролю.
  2. IV. Проблема антропогенних змін клімату або «парниковий ефект».
  3. PR-ІНСТРУМЕНТАРІЙ І МАНІПУЛЯТИВНІ ТЕХНОЛОГІЇ
  4. Автоматичне розвантаження по струму.
  5. Адаптація законодавства України до законодавства ЄС - один із важливих інструментів створення в Україні нової правової системи та громадянського суспільства
  6. Адаптація законодавства України до законодавства ЄС - один із важливих інструментів створення в Україні нової правової системи та громадянського суспільства
  7. Активний опір у ланцюзі синусоїдального струму
  8. Аміноглікозиди (стрептоміцину сульфат, гентаміцину сульфат). Механізм і спектр протимікробної дії, застосування, побічні ефекти.
  9. Аналіз відхилень – основний інструмент оцінки діяльності центрів відповідальності
  10. Аналіз відхилень — основний інструмент оцінки діяльності центрів відповідальності
  11. Аналіз економічної ефективності капітальних вкладень
  12. Аналіз ефективності використання каналів розподілу




Переглядів: 1290

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Генерація і рекомбінація носіїв в області об’ємного заряду | ВАХ освітленого фотоелемента.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.006 сек.