МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||||||||||||||
Кондуктивне перенесення теплової енергіїТаблиця 1.1. Основні поняття і закони перенесення енергії і речовин Охолодження ЕОМ та систем Збільшення щільності компановки та швидкості перемикання елементів ЕОМ призводить до суттєвого збільшення питомої потужності розсіювання на одиницю площі поверхні конструкцій їх вузлів. Так для ланкової апаратури та апаратури на основі дискретних транзисторів питома потужність розсіювання складає 0,03 – 0,5 Вт/см2 Для сучасної мікроелектронної апаратури 0,6 – 6 Вт/см2 Для порівняння. Питома потужність розсіювання на поверхні звичайної електричної плити побутового призначення близько 3 Вт/см2. Тому питання створення необхідних теплових режимів роботи електронних елементів і вузлів ЕОМ є надто важливим і потребує цілого комплексу технічних і технологічних рішень. Явище теплообміну зв’язано з незворотнім перенесенням енергії із однієї частини простору до іншої і зумовлено різницею температур між частинами простору. Явище масообміну зв’язано з переміщенням речовини і зумовлено в основному різницею концентрації речовини в різних частинах простору. Ці процеси (явища) можуть бути супутніми одне другому, то має місце – тепломасообмін. В інших випадках їх можна розглядати окремо, то процеси називаються відповідно: - теплообмін; - масообмін. В природі мають місце три види переносу теплової енергії: а) теплопровідність (кондукція) – процес обміну тепловою енергією між тілами або частинами тіл, що знаходяться в контакті за рахунок взаємодії молекул або їх атомів; б) конвекція – перенесення енергії мікрочастинками газу або рідини; в) теплове випромінення – перенесення енергії, зумовлене перетворенням внутрішньої енергії речовини в електромагнітне випромінення, перенесення електромагнітних хвиль в іншу частину простору, поглинання речовиною хвиль в цій частині простору. Для відображення процесу цих видів теплообміну можна використати наступний вираз: Ф = α·S·Δθ (1.1) де, Ф – тепловий потік, Вт; α – коефіцієнт теплової віддачі, Вт/(м2·К); S – площа поверхні теплового обміну, м2; Δθ – різниця температур між двома ізотермічними поверхнями в тілі (речовині), або між тілами (речовинами), К. Використання перерахованих видів теплообміну дозволяє реалізовувати різні способи і відповідно системи охолодження мікроелектронної апаратури. Всі вони характеризуються відповідними значеннями коефіцієнтів теплової віддачі, таблиця 1.1.
Якщо зв’язати відповідну питому потужність теплового розсіювання, тобто потік Ф, яке має місце в реальних електронних пристроях, що наводилось раніше, з коефіцієнтами теплової віддачі α таблиці 1.1, то із формули (1.1) слідує, що різні системи охолодження дозволяють забезпечити ту чи іншу різницю температури Δθ між поверхнями елементів і конструкцій ЕОМ і середовищем систем охолодження. Приклад 1) S = 1 см2; Ф = 6 Вт; α = 10 Вт/(м2·ºС). Δθ – ? Із формули (1.1) Приклад 2) S = 1 см2; Ф = 6 Вт; α = 3000 Вт/(м2·ºС). Δθ – ? В загальному випадку перенесення теплової енергії Ф(li) від ізотермічної поверхні S(li) температурою θi до ізотермічної поверхні S(lj) з температурою θj описується виразом: θi - θj = Fij · Ф(li) або θj - θi = Fji · Ф(lj), (1.2)
де i, j – ізотермічні поверхні з величинами площ S(li) та S(lj) відповідно; θi, θj – температури ізотермічних поверхонь; li, lj – нормалі до ізотермічних поверхонь, які є координатами цих поверхонь; Fij, Fji – теплові коефіцієнти, які зв’язують тепловий потік з різницею температури. Теплообмін кондукцією протікає по закону Фур’є, у відповідності з яким для елементу ізотермічної поверхні l щільність теплового потоку Фl [Вт/м2] рівна: Фl = -λ(dΘ/dl), (1.3) де λ – коефіцієнт теплопровідності матеріалу [Вт/(м·К)]. Враховуючи, що Фl = Ф(l) / S(l), то із (1.3) слідує, що: (1.4) Проінтегрувавши ліву частину виразу (1.4) від θi до θj, а праву від li до lj отримаємо: (1.5) Із виразів (1.2) та (1.5) слідує, що тепловий коефіцієнт: , (1.6) Якщо між поверхнями i та j відсутні стоки енергії (не витікає або не втікає додаткова енергія через бокові поверхні між поверхнями i та j) та джерела теплової енергії, тобто Ф(l) = Ф(li) = Ф(lj) = const, то тепловий коефіцієнт Fij називається тепловим опором; позначимо його через Rij = Fij, і він буде мати вираз: , [К/Вт] (1.7) Величина, обернена Rij – теплова провідність: σij = 1/Rij, [Вт/К] (1.8) Вирази для теплового опору однорідних тіл плоскої та циліндричної форми є наступними: Rпл = (l2 – l1) / (λ·Sпл); (1.9) (1.10) Читайте також:
|
||||||||||||||||||||
|