• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

ЧАСТИНА ІІ. АКТИВНІ КОМПОНЕНТИ

ЕЛЕКТРОННИХ СИСТЕМ

Розділ 2. Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів

2.1 Класифікація речовин за провідністю

2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників

2.3 Домішкові напівпровідники

2.4 Визначення та класифікація електричних переходів

2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги

2.6 Пряме та зворотне вмикання р-ппереходу

2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого р-ппереходу

2.8 Ємнісні властивості р-п переходу

2.9 Пробій р-п переходу

2.10 Перехід метал-напівпровідник

2.11 Особливості р-п переходів та їх використання для побудови компонентів електронної апаратури

2.12 Поточний самоконтроль

2.12.1 Тестові контрольні запитання

Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання

3.1 Визначення, структура та класифікація

3.2 Вольт-амперна характеристика

3.3 Параметри

3.4 Електрична модель та частотні властивості

3.5 Основні види пробою

3.6 Основні типи діодів та функціональні пристрої на їх основі

3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі

3.6.2 Високочастотні діоди.

3.6.3 Імпульсні діоди та ключі

3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони.

3.6.5 Обмежувачі амплітуди

3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти

3.7 Діоди Шотткі

3.8 Поточний самоконтроль

3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в MS

3.8.2 Контрольні запитання

Розділ 4. Біполярні транзистори

4.1 Структури, режими та схеми вмикання

4.2 Фізичні процеси в БТ

4.3 Статичні характеристики

4.3.1 Статичні характеристики БТ зі СЕ

4.3.2 Статичні характеристики БТ зі СБ

4.4 Температурний дрейф характеристик

4.5 Підсилення потужності електричних інформаційних сигналів за допомогою БТ

4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем

4.7 Динамічні властивості БТ.

4.8 Ключовий режим

4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання БТ

4.10 Власні шуми та шумові параметри

4.11 Температурний режим та пробій БТ

4.12 Основні типи БТ

4.13 Поточний самоконтроль

4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в MS

4.13.2 Контрольні запитання

Розділ 5. Польові транзистори

5.1 Типи польових транзисторів

5.2 Польовий транзистор з керувальним р-п переходом

5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням

5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами

5.5 Ключовий режим МДН- транзисторів

5.6 Температурні залежності та шуми ПТ

5.7 Класифікація та особливості використання ПТ

5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів

5.9 Поточний самоконтроль

5.9.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в MS

5.9.2 Контрольні запитання

Читайте також:

1. I. Вступна частина
2. II Основна частина
3. II Основна частина
4. II Основна частина
5. II частина
6. II частина.
7. II. Основна частина
8. II. Основна частина
9. II. Основна частина ЗАНЯТТЯ
10. III Заключна частина
11. III Заключна частина
12. III Заключна частина

Переглядів: 515