Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Електрична модель та частотні властивості НД

 

Співвідношення ВАХ виражає зв’язок між струмом і напругою у статичному режимі ( за постійним струмом). Їх можна використовувати для аналізу і розрахунку електричних схем НД, якщо діє змінна напруга невеликої частоти. Проте, якщо частота напруги на діоді висока, потрібно враховувати тривалість процесів накопичення і роззосередження нерівноважного заряду в базі діода і нескомпенсованого об’ємного заряду в його ЕДП. Режим, в якому період зміни напруги стає сумірним з тривалістю цих процесів, називаються динамічним.

Зі збільшенням або зменшенням прикладеної напруги в діоді накопичується або роззосереджується заряд, тобто діод має ємнісні властивості. Ці властивості здебільшого визначаються ємнісними властивостями електричного переходу (2.8.).

У напівпровідникових діодах з p-n‑переходами розрізняють дві складові ємності переходу діода Сj : бар’єрну Сб і дифузійну Сдф. При цьому Сj = Сб + Сдф .

Бар’єрна ємність відображає процеси зменшення – збільшення неском­пенсованого заряду безпосередньо в р-п‑переході, дифузійна – характеризує накопичення нерівноважного заряду в базі. Навіть, якщо прямий струм невеликий, Сдф може досягати значень десятки тисяч пікофарад, що значно перевищує зна­чення Сб (десятки – coтнi пікофарад). Тому у разі прямого зміщення необхідно враховувати лише Сдф, а у разі зворотного – Сдф = 0.

Наявність ємнісних властивостей обумовлює інерційність діода. На дуже високих частотах амплітуди прямого і зворотного струмів робочих сигналів стають сумірними i діод втрачає властивість односторонньої провідності. Якщо НД використовують у радіоелектронних пристроях, в яких важливою є смуга частот (наприклад, у радіоприй­мачах), то ємнісні властивості визначають граничну частоту – верхнє значення частоти інформаційного сигналу, за якої забезпечуються задані струми або напруги. Цей параметр є важливим для випрямних та високочастотних діодів.

Розглянуті процеси впливають на тривалість перемикання у пристроях імпульсної техніки, в яких імпульсні діоди використовуються як ключі. Такі пристрої досліджуються в часовій області та оцінюються за допомогою перехідних характеристик ( 1.4.).

Перехідними процесами називають процеси встановлення напруг (або струмів) напівпровідникових приладів під впливом імпульсу струму (або напруги). Тривалість перехідних процесів визначає швидкодію імпульсних і цифрових пристроїв.

 


Читайте також:

  1. CMM. Модель технологічної зрілості. Зрілі і незрілі організації.
  2. Demo 7: Модель OSI (модель взаімодії відкритих систем)
  3. G2G-модель електронного уряду
  4. OSI - Базова Еталонна модель взаємодії відкритих систем
  5. OПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КОЛОЇДНИХ СИСТЕМ
  6. V – модель
  7. А) Товар і його властивості.
  8. Абстрактна модель
  9. Абстрактна модель
  10. Абстрактна модель оптимального планування виробництва
  11. Аеродинамічні властивості колісної машини
  12. Алкани (насичені вуглеводні). Хімічні властивості алканів




Переглядів: 504

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Вольт-амперна характеристика НД | Основні види пробою НД

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.003 сек.