МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Провідники у електростатичному полі
Провідник відрізняється від напівпровідника або діелектрика тим, що у ньому велика кількість вільних носіїв зарядів (електронів) n > 10 21 м -3. На вільні заряди в електростатичному полі діє сила . Під дією цієї сили заряди приводяться в рух і рухаються до тих пір, доки напруженість поля у провіднику не стане . Це означає, що потенціал всередині провідника
повинен бути однаковим. Тоді, вектор напруженості поля біля поверхні провідника у кожній точці має бути перпендикулярним до поверхні і , , оскільки переміщення зарядів не відбувається (рис.1). Це означає, що поверхня провідника являється еквіпотенціальною! Наданий надлиш-ковийзаряд q у провіднику розпо-діляєтьсяпо поверхні провідника! Бо якби у провіднику були заряди, то на них повинні починатись або закінчуватись силові лінії. Але у провіднику ! Знайдемо взаємозв’язок між напруженістю Е поля поблизу поверхні зарядженого провідника і поверхневою густиною зарядів . Застосуємо теорему Остроградського-Гаусса.
\ Розглянемо елемент поверхні зарядженого провідника(рис.2). Потік вектора через замкнуту поверхню ( поверхню циліндра) визначається тільки потоком через зовнішню основу циліндра, так як поле всередині провідника відсутнє. , звідки . Напруженість електростатичного поля поблизу зарядженої поверхні пропорційна поверхневій густині зарядів. Поверхнева густина зарядів для різних точок поверхні різна і залежить від кривизни поверхні провідника. Пояснимо це на прикладі двох заряджених сфер радіусами R1 та R2, які дотикаються. Заряди на провідниках завжди перерозподіляються таким чином, щоб їх потенціали були рівними, тобто . ; . Визначимо заряди на сферах через їх поверхневу густину : ; .
; .
Там, де кривизна поверхні менша, поверхнева густина заряду більша і навпаки. А оскільки , то напруженість поля біля точок малої кривизни більша, ніж біля відносно плоских поверхонь (рис.3). Як слідує із вищенаведеного, напруженість поблизу вістря буде дуже великою. Вона може бути такою великою, що наступає “пробій” повітря і заряд швидко стікає з вістря у повітря. Саме тому деталі електричних пристроїв, які знаходяться під високою напругою і несуть великий заряд, виготовляють з поверхнями із великими радіусами кривизни.
Явище перерозподілу поверхневих зарядів на провіднику у зовнішньому електростатичному полі називається електростатичною індукцією, а перерозподілені заряди – індукованими зарядами.
Відмітимо, що металевий екран захищає тільки від зовнішнього поля. Якщо помістити заряд всередину металевої оболонки, то екранування не виникає (рис.6). Читайте також:
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|