Характеристики і параметри комп’ютерної пам’яті

Швидкодія пам’яті визначається часом виконання операцій запису та зчитування даних.

Основними параметрами будь-яких елементів пам’яті є мінімальний час доступу та тривалість циклу обігу.

Час доступу (Access time) – це тимчасова затримка між запитом на видачу якої-небудь інформації з пам’яті та появи дійсних даних на виході пам’яті (її реальною видачею).

Тривалість циклу визначається як мінімальний період наступних один за одним звернень до пам’яті, причому цикли читання та запису можуть вимагати різних витрат часу.

У цикл обігу окрім активної фази самого доступу входить і фаза відновлення (повернення пам’яті до початкового стану), яка має одну розмірність за часом з активною фазою.

Основним чинником продуктивності оперативної пам’яті є її пропускна спроможність, тобто кількість мегабайт в секунду, яке здатна вважати (записати) оперативна пам'ять.

Пропускна спроможність розраховується як помноження частоти системної шини на об’єм даних, які передаються за один такт. Сучасна пам’ять має шину шириною 64 біти, тому пропускна спроможність пам’яті типу DDR400, складає 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт у секунду (або 3.2 Гбайт/с).

Розрядність шини пам'яті – це кількість байт (або бітів), з якими операція читання або запису може бути виконана одночасно.

Банком пам’яті називають комплект мікросхем або модулів (а також їх посадочних місць – “ліжечок” для мікросхем, слотів для SIMM або DIMM), який забезпечує розрядність даних, що зберігаються, які необхідні для даної системи. Працездатним може бути тільки повністю заповнений банк.

Відмова елементу пам’яті – втрата її працездатності, звичайно вимагає заміни елементу пам’яті. Відмова може бути стійкою, але можливе мимовільне відновлення працездатності, наприклад, після повторного включення живлення. Часто причиною відмов є несправність контакту або порушення умов експлуатації.

На максимальну продуктивність пам’яті впливає такий важливий параметр як “таймінги пам’яті”. Відомо, що логічна структура банку пам’яті являє собою двомірний масив – найпростішу матрицю, кожна комірка якої має свою адресу, номер рядку та номер стовбця. Для того, щоб зчитати вміст довільної комірки масиву, контролер пам’яті повинен задати номер рядку RAS (Row Adress Strobe) и номер стовбця CAS (Column Adress Strobe), з яких і зчитуються дані. Між подачею команди та її виконанням завжди буде затримка (латентність пам’яті), яку і характеризують таймінги.

Існує велика кількість різних параметрів, які визначають таймінги, але частіше за все використовують чотири з них:

1. CAS Latency (CAS) – затримка у тактах між подачею сигналу CAS і безпосередньо видачею даних з відповідної комірки. Це одна з найважливіших характеристик будь-якого модулю пам’яті;

2. RAS to CAS Delay (tRCD) – кількість тактів шини пам’яті, які повинні пройти після подачі сигналу RAS до того, як можна буде подати сигнал CAS;

3. Row Precharge (tRP) – час закриття сторінки пам’яті у межах одного банку, що витрачається на його перезарядку;

4. Activate to Precharge (tRAS) – час активності стробу. Мінімальна кількість циклів між командою активації (RAS) і командою підзарядки (Precharge), якою закінчується робота з цим рядком, або закриття того ж самого банку.

Якщо на модулі пам’яті позначено “2-2-2-5” або “3-4-4-7”, це згадані вище параметри: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартні значення CAS Latency для пам’яті DDR – 2 и 2.5 такти, де CAS Latency 2 значить, що дані будуть отримані тільки через два такти після отримання команди Read. В деяких системах можливі значення 3 або 1.5, а для DDR2-800, наприклад, цей параметр визначається в діапазоні від 4 до 6 тактів, при тому, що 4 – екстремальний варіант для відбірних “оверклокерських” мікросхем. Затримка RAS-CAS і RAS Precharge зазвичай дорівнює 2, 3, 4 або 5 тактів, а tRAS – трохи більше, від 5 до 15 тактів. Природно, чим нижче ці таймінги, тим вище продуктивність пам’яті.

Чіпи пам’яті прийнято позначати у вигляді AxB (наприклад, 4х4). Таке позначення значить, що чіп має А Мбіт адресного простору (або просто адрес), по кожному з яких можна зберегти B біт інформації (при читанні/записі кожний з цих бітів вимагає окремої лінії введення/виводу). Місткість чипа відповідно – множення А і В. Наприклад: позначення 1х4 означає, що даний чіп має 1 мегабіт, по кожному з яких можна зберегти 4 біти інформації. Місткість чіпа, таким чином, складає 4 мегабіт, тобто результат множення у формулі 1х4. Зверніть увагу, місткість чипів прийнято називати в мегабітах, місткість модулів – в мегабайтах). Так само чіп 256х16 (256 в даному випадку кілобіт) має місткість ті ж 4 мегабіт. Шістнадцятимегабітнимі є, наприклад, чипи 4х4 і 1х16.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Класифікація електронної пам’яті	\|	Динамічна пам’ять

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.017 сек.