МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
Логічні елементи на МОН-транзисторах
Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах показані на рис.3.7. У схемі елемента НІ на р-МОН-транзисторах застосовують навантажувальний транзистор VT1, стік якого підключається до негативного джерела живлення мінус (рис. 3.7,а). Напруга негативної полярності вхідної змінної надходить на затвор вхідного транзистора VT2.У цій схемі застосовують транзистори з індукованими каналами. У схемі елемента НЕ на n-МОН-транзисторах використовують навантажувальний транзистор VT1 з убудованим каналом, що підключається до позитивного джерела живлення плюс UCC . Позитивна напруга вхідний змінної X надходить на затвор вхідного транзистора VT2 з індукованим каналом (рис. 3.7, б). Навантажувальні транзистори включені за схемою двухполюсника. Якщо вхідна напруга то транзистор VT2 закритий, a VT1 — відкритий і на виході встановлюється рівень напруги, близький до значення UCC .
Рисунок 3.7 - Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах.
Якщо вхідне напруг , то обоє транзистора відкрита й вихідна напруга знімається з дільника, утвореного опором каналів , де RB і RH — опору каналів вхідного й навантажувального транзисторів. Граничні напруги для р-МОН , а для п – МОН . Схеми елементів HE-АБО й НЕ-І на п – МОН транзисторах показані на рис. 3.8. Елемент АБО-HІ утвориться паралельним з'єднанням вхідних транзисторів (рис. 3.8,а елемент НЕ-І послідовним з'єднанням (рис. 3.8, б). Рисунок 3.8 - Схеми елементів АБО- HІ й І- НІ на п – МОН транзисторах. Значення балка. 0 відображається напругою , а балка. 1 — напругою На виході елемента АБО- HІ встановлюється інверсне значення логічної суми вхідних змінних, а на виході елемента І-НІ встановлюється інверсне значення логічного добутку вхідних змінних. Наприклад, на виході елемента АБО- HІ рівень балка. 0 установлюється при наявності хоча б на одному вході одиничного сигналу. На виході елемента І -НІ рівень балка. 0 установлюється при збігу високих рівнів напруг на двох входах, коли одночасно відкриваються транзистори VT2 і VT3. У комплементарної МОН-структурі (логіка КМОН) використовуються одночасно р-і п-канальні транзистори. Елемент НІ в схемотехніці КМОН побудований на двох транзисторах з індукованими каналами: навантажувальному VT2 із каналом р-типу й вхідному VT1 із каналом n-типу (рис. 3.9,а). Виток транзистора VT2 підключений до витоку позитивного живлення , напруга вхідний змінної X надходить на затвори обох транзисторів; вихідна напруга знімається з об'єднаних стоків. Рисунок 3.9 - Схеми МОН-структур При вхідному рівні транзистор VTIвідкритий, a VT2— закритий, оскільки між його затвором і витоком є нульова напруга. На виході встановлюється рівень і струм у ланцюзі не протікає. При вхідному рівні транзистор VT1закритий, a VT2— відкритий, тому що між його затвором і витоком є напруга . На виході — рівень і струм у ланцюзі не протікає. На рисунку 3.9, бпоказана схема КМОН елемента АБО - НІ, у якому вхідні транзистори VT1іVT2включені паралельно, а навантажувальні — VT3іVT4— послідовно. Якщо хоча б на одному із входів є рівень напруги , то даний транзистор відкривається, на виході встановлюється рівень , навантажувальні транзистори закриті, струм у ланцюзі не протікає. Якщо на обох входах є рівень напруги то транзистори VTIі VT2закриті, a VT3 і VT4 — відкриті, на виході встановлюється напруга й струм у ланцюзі не протікає. На рис. 3.9 показана схема КМОН-елемента І-НІ, в якій вхідні транзистори VT1і VT2включені послідовно, а навантажувальні VT3і VT4 — паралельно. Якщо на затвори вхідних транзисторів одночасно надходять сигнали , то транзистори VT1і VT2відкриваються, вихідний рівень дорівнює , навантажувальні транзистори закриті, струм у ланцюзі не протікає. Якщо хоча б на одному із входів є рівень напруги , то транзистори VTIі VT2закриті, відкривається один з навантажувальних транзисторів VT3або VT4. На виході встановлюється рівень і струм у ланцюзі не протікає. Таким чином, у схемах КМОН у статичному стані протікає дуже малий робочий струм, оскільки при відкритих вхідних транзисторах закриті навантажувальні й навпаки. Сумарна потужність споживання в основному визначається енергією, що витрачається на перезаряд паразитних ємностей. Промисловість випускає наступні серії КМОН: 176, 564, 561, КР1561 і КР1554. Мікросхеми швидкодіючої серії КР1554 мають функціональну й технічну повноту й включають логічні елементи, тригери, регістри, лічильники, дешифратори, мультиплексори й ін.
Читайте також:
|
||||||||
|