МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Логічні елементи на МОН-транзисторах
Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах показані на рис.3.7. У схемі елемента НІ на р-МОН-транзисторах застосовують навантажувальний транзистор VT1, стік якого підключається до негативного джерела живлення мінус (рис. 3.7,а). Напруга негативної полярності вхідної змінної надходить на затвор вхідного транзистора VT2.У цій схемі застосовують транзистори з індукованими каналами. У схемі елемента НЕ на n-МОН-транзисторах використовують навантажувальний транзистор VT1 з убудованим каналом, що підключається до позитивного джерела живлення плюс UCC . Позитивна напруга вхідний змінної X надходить на затвор вхідного транзистора VT2 з індукованим каналом (рис. 3.7, б). Навантажувальні транзистори включені за схемою двухполюсника. Якщо вхідна напруга то транзистор VT2 закритий, a VT1 — відкритий і на виході встановлюється рівень напруги, близький до значення UCC .
Рисунок 3.7 - Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах.
Якщо вхідне напруг , то обоє транзистора відкрита й вихідна напруга знімається з дільника, утвореного опором каналів , де RB і RH — опору каналів вхідного й навантажувального транзисторів. Граничні напруги для р-МОН , а для п – МОН . Схеми елементів HE-АБО й НЕ-І на п – МОН транзисторах показані на рис. 3.8. Елемент АБО-HІ утвориться паралельним з'єднанням вхідних транзисторів (рис. 3.8,а елемент НЕ-І послідовним з'єднанням (рис. 3.8, б). Рисунок 3.8 - Схеми елементів АБО- HІ й І- НІ на п – МОН транзисторах. Значення балка. 0 відображається напругою , а балка. 1 — напругою На виході елемента АБО- HІ встановлюється інверсне значення логічної суми вхідних змінних, а на виході елемента І-НІ встановлюється інверсне значення логічного добутку вхідних змінних. Наприклад, на виході елемента АБО- HІ рівень балка. 0 установлюється при наявності хоча б на одному вході одиничного сигналу. На виході елемента І -НІ рівень балка. 0 установлюється при збігу високих рівнів напруг на двох входах, коли одночасно відкриваються транзистори VT2 і VT3. У комплементарної МОН-структурі (логіка КМОН) використовуються одночасно р-і п-канальні транзистори. Елемент НІ в схемотехніці КМОН побудований на двох транзисторах з індукованими каналами: навантажувальному VT2 із каналом р-типу й вхідному VT1 із каналом n-типу (рис. 3.9,а). Виток транзистора VT2 підключений до витоку позитивного живлення , напруга вхідний змінної X надходить на затвори обох транзисторів; вихідна напруга знімається з об'єднаних стоків. Рисунок 3.9 - Схеми МОН-структур При вхідному рівні транзистор VTIвідкритий, a VT2— закритий, оскільки між його затвором і витоком є нульова напруга. На виході встановлюється рівень і струм у ланцюзі не протікає. При вхідному рівні транзистор VT1закритий, a VT2— відкритий, тому що між його затвором і витоком є напруга . На виході — рівень і струм у ланцюзі не протікає. На рисунку 3.9, бпоказана схема КМОН елемента АБО - НІ, у якому вхідні транзистори VT1іVT2включені паралельно, а навантажувальні — VT3іVT4— послідовно. Якщо хоча б на одному із входів є рівень напруги , то даний транзистор відкривається, на виході встановлюється рівень , навантажувальні транзистори закриті, струм у ланцюзі не протікає. Якщо на обох входах є рівень напруги то транзистори VTIі VT2закриті, a VT3 і VT4 — відкриті, на виході встановлюється напруга й струм у ланцюзі не протікає. На рис. 3.9 показана схема КМОН-елемента І-НІ, в якій вхідні транзистори VT1і VT2включені послідовно, а навантажувальні VT3і VT4 — паралельно. Якщо на затвори вхідних транзисторів одночасно надходять сигнали , то транзистори VT1і VT2відкриваються, вихідний рівень дорівнює , навантажувальні транзистори закриті, струм у ланцюзі не протікає. Якщо хоча б на одному із входів є рівень напруги , то транзистори VTIі VT2закриті, відкривається один з навантажувальних транзисторів VT3або VT4. На виході встановлюється рівень і струм у ланцюзі не протікає. Таким чином, у схемах КМОН у статичному стані протікає дуже малий робочий струм, оскільки при відкритих вхідних транзисторах закриті навантажувальні й навпаки. Сумарна потужність споживання в основному визначається енергією, що витрачається на перезаряд паразитних ємностей. Промисловість випускає наступні серії КМОН: 176, 564, 561, КР1561 і КР1554. Мікросхеми швидкодіючої серії КР1554 мають функціональну й технічну повноту й включають логічні елементи, тригери, регістри, лічильники, дешифратори, мультиплексори й ін.
Читайте також:
|
||||||||
|