На рис.3.6 наведена схема ТТЛ - елементи І-НІ зі складним інвертором. Операція І реалізується багатоемітерним транзистором VT1 а на транзисторах VT2 ... VT4 виконаний інвертор. Багатоемітерні транзистори легко реалізуються в інтегральному виконанні і є основою ТТЛ - елементів.
Рисунок 3.6 - Схема ТТЛ - елементи І-НІ зі складним інвертором
Якщо на всіх входах (емітерах транзистора) діє сигнал "I" то всі переходи емітер- база закриті. По ланцюзі +E-R1 - база-колектор VT1 - база-емітер VT2 - база-емітер VT4 - загальна шина протікає струм, що переводить транзистори VT2 ,VT4 у режим насичення й на виході з'являється низький рівень напруги (логічний "0").
При впливі сигналу "0" хоча б на один із входів транзистора VT1 відповідний перехід емітер-база транзистора відкривається, і його базовий струм перекинеться з колекторного ланцюга в емітерну. У результаті транзистори VT2 , VT4 закриваються, а транзистор VT3 відкривається через підвищення потенціалу крапки, працює як емітерний повторювач. Діод VD служить для забезпечення режиму зсуву транзистора VT3, тобто для того, щоб цей транзистор був закритий при насиченні транзистора VT4 . Резистор R3шунтує перехід база-емітер VT4.