Інтегральна інжекційна логіка

Різновидом транзисторних схем є елементи інтегральної інжекційної логіки (АБО або И²Л). Схемотехніку И²Л використовують для побудови мікропроцесорних і запам'ятовувальний ВІС (серії ДО582, ДО583, ДО584 і ін.).

Схема логічного елемента И²Л показана на рис. 3.11.

Рисунок 3.11 - Схема логічного елемента И²Л

Схема включає інжекційні транзистори VT1, VT2, включені за схемою із загальною базою, і вхідні багатоколекторні транзистори VT3, VT4, включені за схемою із загальним емітером. Емітери транзисторів VT1, VT2називаються інжекторами, протікає через них дірковий струм — інжекційним. Кожний із транзисторів VT1, VT2утворить разом із джерелом живлення й зовнішнім резистором джерело струму, що живить індивідуальним струмом входи транзисторів VT3, VT4.

Особливостями елементів И²Л є:

• "безрезисторність", характерна для МОН-структур, що вперше була реалізована в схемотехніці И²Л;

• з'єднання областей бази й колектора інжекційних р-п-р транзисторів відповідно з областями емітера й колектора вхідних п-р-п транзисторів, а також мале число схемних компонентів і з'єднань між ними;

• низький рівень напруги В знімається з колектора насиченого транзистора, а високий рівень напруги В — з колектора закритого транзистора, причому цей рівень обмежується напругою бази насиченого транзистора навантаження; використовується режим мікрострумів, у якому струми колектора змінюються від десятків до сотень мікроамперів; працездатність елементів зберігається при зміні значення струму в них на кілька порядків;

• на колекторах вхідного транзистора реалізується інверсія змінної, а на з'єднаних колекторах транзисторів VT3, VT4 виконуються операції АБО-НІ.

Вхідні транзистори управляються перемиканням струму на їхніх входах. Якщо до входу Х₁ підключений колектор лівого насиченого транзистора, то струм замикається на нього й не надходить у базу транзистора VT3, що закривається й створює на своїх колекторах режим розімкнутих контактів. Якщо до входу підключений колектор лівого закритого транзистора, то струм надходить до бази VT3, насичує його та забезпечує на колекторах режим замкнутих контактів.

Затримка поширення сигналу в елементі И²Л при струмі 100 мкА становить приблизно 5-10 нс, потужність «споживання» — до 20 мкВт. Відзначені властивості елементів И²Л и ВІС на їхній основі надають їм технологічність і компактність, вони мають невисоку вартість при великій швидкодії.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Логічні елементи на МЕН-транзисторах	\|	Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.002 сек.