Варіанти схем логічних елементів НІ, АБО-НІ на МЕН-транзисторах показані на рис. 3.10.
Схема НІ (рис. 3.10,а) містить пасивний транзистор VT1 (нормально відкритий) і вхідний активний транзистор VT2 (нормально закритий). Пасивний транзистор VT1 включений за схемою двухполюсника й виконує роль джерела стокового струму, значення якого практично не змінюється в широкому діапазоні зміни напруги між стоком і витоком.
До виходу елемента НІ підключається аналогічний інвертор. Він у статичному режимі представлений еквівалентною схемою з послідовно включених діода Шотки (бар'єра метал-напівпровідник) і опору між затвором і джерелом . Напруга джерела живлення в схемі В; усереднені значення граничних напруг для транзисторів VTIі VT2відповідно рівні й .
При транзистор VT2закритий, струм стоку й на виході встановлюється рівень напруги . Струм відкритого транзистора VT1перемикається в затвор інвертора навантаження. Оскільки струм становить одиниці міліамперів, а опір виміряється десятками Ом, то вихідний рівень практично визначається прямою напругою на діоді VD рівним0,6 В.
Схема двухвхідного елемента АБО-НІ містить нормально відкритий пасивний транзистор VT1, вхідні нормально закриті транзистори VT2 і VT3, включені паралельно (рис. 3.10,б).
Рисунок 3.10 - Варіанти схем логічних елементів НІ, АБО HІ на МЕН-транзисторах
При транзистори VT2іVT3закриті, на виході У встановлюється високий рівень напруги . Якщо на одному із входів або на обох діє напруга то відповідний транзистор (або обоє) відкриваються й на виході встановлюється рівень .
Параметри елемента АБО-НІ аналогічні схемам, зображеним на рис. 3.11, а.
Схема двухвхідового елемента АБО-НІ з підвищеною завадостійкістю показана на рисунку 8,в. Вхідні діоди Шотки VD1і VD2реалізують операцію АБО, транзистори VT1і VT2створюють інвертор, а транзистор VT3разом з діодами — це ланцюг зсуву рівня порога транзистора VT2.