Транзистори

Транзистор це тришарова структура з двох р-п-переходів. Основою приладу є пластина монокристала п-германію, яку називають базою. З двох боків у базу вплавлені таблетки індію. На межі поділу індію й германію в процесі вплавлення утворюється шар напівпровідника з дірковою провідністю. Отже, на межі вплавлення виникають електронно-діркові переходи. Перехід, що діє при прямому зміщенні, називається емітерним, а крайній р-шар, який інжектує основні носії в базу,— емітером. Перехід, що діє при зворотному зміщенні, називається колекторним, а крайній р-шар, який збирає інжектовані носії, що пройшли через шар бази,— колектором.

База повинна мати малу товщину W, щоб виконувалась умова W<L, де L — дифузійна хвиля неосновних носіїв (дірок у базі). Якщо ця умова не виконується, то інжектовані носії в процесі переміщення через базу встигають рекомбінувати. Достатньо мала товщина бази (W << L) є умовою взаємодії р-п-переходів у транзисторі. Звичайно ступінь легування бази значно нижчий від ступеня легування емітера і колектора. До емітера, бази і колектора припаяні виводи, що утворюють з цими електродами омічний (невипрямний) контакт.

Такий транзистор називають транзистором р-п-р типу. Транзистори, в яких базою є р-напівпровідник, а емітером і колектором n-напів-провідники, називають транзисторами п-р-п типу.

У транзисторах р-п-р-типу робочими носіями є дірки, а в транзисторах п-р-п типу — електрони. Полярності напруг на електродах транзисторів цих типів зворотні.

Умовні позначення транзисторів на електричних схемах згідно з ГОСТ 2.730—73 подано на рисунку 8.1.

Основні властивості транзистора визначаються процесами в базі. Рух інжектованих носіїв у базі дифузійний і дрейфовий. Дифузійний рух зумовлюється зміною концентрації неосновних носіїв у базі в напрямі від емітера до колектора. Дрейфові рухи є наслідком електричного поля в базі. Транзистори без власного поля бази називаються дифузійними, а з власним полем—дрейфовими.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Хід роботи	\|	Основні процеси в транзисторі

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.016 сек.