МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
Короткі теоретичні відомостіТранзистор - напівпровідниковий прилад, що складається із двох, близько розміщенних р-п переходів. Тобто - це напівпровідниковий монокристал, в якому створені три області з різними типами про відності.
Мал. 2.59. Залежно від виконуваних функцій їх називають: емітер (від лат. emittio - випускаю) - область, яка є джерелом вільних носіїв електричного заряду; колектор (від лат. colligo -збираю, з'єдную) - область транзистора, в яку потрапляють вільні носії електричного заряду, випущені емітером. Між емітером і колектором, котрі мають один і той самий тип провідності, знаходиться база (від грец. - основа) - досить тонка область, концентрація вільних носіїв в якій набагато менша, ніж у емітері і колекторі. Якщо транзистор виготовлений так, що база має електронну провідність, то його називають транзистором р-п-р типу(мал. 2.59а), якщо ж база має діркову провідність, то - п-р-п типу(мал. 2.59б). Транзистор використовують для підсилення сили струму, напруги, потужності, а також для узгодження параметрів у складних електричних схемах. Залежно від призначення, можливі три способи включення транзистора: із спільною базою (мал.2.60а), із спільним емітером (мал. 2.60б) і спільним колектором (мал. 2.60в). Розглянемо фізичні процеси, які вібуваються в р-п-р-транзисторі, увімкненому за схемою із спільним емітером (мал. 2.61). Прикладемо до емітерного переходу невелику напругу в прямому напрямку, а до колекторного переходу на- багато більшу напругу в зворотному напрямку.
Мал. 2.61. Такий спосіб увімкнення зменшує контактну різницю потенціалів переходу емітер - база і виникає струм, обумовлений рухом дірок Вільні носії, які при цьому потрапляють в базу, частково рекомбінують, але, завдяки малій товщині бази і низькій концентрації електронів в ній, більшість дірок досягає колекторного переходу внаслідок дифузії. Зворотна напруга, що прикладена до колектора, створює сильне електричне поле - товщина p-n-переходу, вона має досить малі значення (типово 50-60 мкм). Це поле втягує дірки, що є в базі, в колектор, збільшуючи їх швидкість. Таким чином, всі дірки, які досягли колекторного переходу, будуть брати участь в утворенні струму колектора їх концентрацію можна виразити як: де - концентрація дірок, випущених емітером, - концентрація тих дірок, які рекомбінували в базі, - концентрація вільних носіїв власне в колекторі. Різниця потенціалів між емітером і колектором у десятки разів більша за різницю потенціалів між емітером і базою. А це означає, що змінами струму бази можна керувати вихідним струмом зміни якого будуть відповідними за формою але значно більшими за величиною. Мал. 2.62. Мал. 2.63. Транзистори характеризуються сукупністю вхідних і вихідних статичних характеристик: 1. Вхідні характеристики відображають залежність вхідного струму від вхідної напруги: при const (мал. 2.62). 2. Вихідні характеристики відображають залежність вихідного струму від вихідної напруги при сталому вхідному струмі (мал. 2.63): при За цими характеристиками визначають основні параметри транзистора: 1. Вхідний опір при 2. Вихідний опір при 3. Коефіцієнт підсилення струму при const. Читайте також:
|
||||||||
|