МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
Виявлення та виправлення помилок пам’ятіІнші види пам’яті
Узагальнене поняття незалежної пам’яті (NV Storage) включає будь-який пристрій, що зберігає записані дані навіть за відсутності живлячої напруги (на відміну від статичної і динамічної напівпровідникової пам’яті). Існує безліч типів незалежної пам’яті: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory, FRAM, що розрізняються за своїми споживацькими властивостями, обумовленими способом побудови запам’ятовуючих осередків і сферами застосування. Запис інформації у незалежну пам’ять, названим програмуванням, звично істотно складніше та вимагає великих витрат часу і енергії, ніж зчитування. Мікросхеми EEPROM невеликого об’єму широко застосовуються як незалежна пам’ять конфігурації різних адаптерів. Сучасні мікросхеми EEPROM мають досить складну внутрішню структуру, в яку входить управляючий автомат. Це дозволяє спростити зовнішній інтерфейс, роблячи можливим безпосереднє підключення до мікропроцесорної шини або іншого інтерфейсу та приховання специфічних (і непотрібних користувачу) допоміжних операцій типу стирання і верифікації. Мікросхеми EEPROM дозволяють прочитувати та перезаписувати (стирати) будь-який елемент пам’яті, але перезапис вимагає досить багато часу. Флеш-пам’ять за визначенням відноситься до класу EEPROM (електричне стирання), але використовує особливу технологію побудови запам’ятовуючих осередків. Стирання у флеш-пам’яті виробляється відразу для цілої області осередків (блоками або повністю всієї мікросхеми). Для зберігання BIOS з’явилися мікросхеми флеш-пам’яті з інтерфейсом LPC, які отримали назву хаби (firmware hub).
ЕСС (Error Checking and Correcting – схема виявлення та виправлення помилок в пам’яті) в основному застосовується в комп’ютерах, де потрібна надійна робота. Навіть за відсутності помилки потрібен, принаймні, один зайвий такт для спрацьовування схеми контролю, який дозволяє використання лічених даних. Таким чином, ЕСС-пам’ять працюватиме повільніше за неконтрольовану, а за наявності поправних помилок уповільнення буде помітнішим. Функцію контролю та виправлення виконує чипсет, його реакцію на помилки звичайно можна задати настроюванням CMOS Setup. Перевірка контрольної суми (Checksum) – звично це байт, який доповнює кожні 256 байт контрольованої області. Застосовується для перевірки достовірність інформації, що зберігається у постійній (ROM BIOS) і напівпостійній (CMOS RTC, ESCD) пам’яті. Перевірка контрольної суми звичайно виконується одноразово під час включення комп’ютера. Кешування оперативної пам’яті. Основна пам’ять комп’ютерів реалізується на відносно повільній динамічній пам’яті (DRAM), звернення до неї приводить до простою процесора – з’являються такти очікування (wait states). Статична пам’ять (SRAM), побудована, як і процесор, на осередках тригерів, за своєю природою здатна наздогнати сучасні процесори по швидкодії та зробити непотрібними такти очікування (або хоча б скоротити їх кількість). Розумним компромісом для побудови економічних і продуктивних систем з’явився ієрархічний спосіб організації оперативної пам’яті. Ідея полягає у поєднанні основної пам’яті великого об’єму на DRAM з відносно невеликою кеш-пам’яттю на швидкодійних мікросхемах SRAM. Довільна помилка – це помилка обробки даних, не пов’язана з дефектом мікросхеми пам’яті. У більшості випадків надійніше дотримуватися рекомендованої або заданої за замовчуванням частоти регенерації. Оскільки витрати на регенерацію в сучасних комп’ютерах складають менше 1%, зміна частоти регенерації надає незначний вплив на характеристики комп'ютера. Одним з найбільш прийнятних варіантів є використання для синхронізації пам’яті значень за замовчуванням або автоматичних настройок, заданих за допомогою програми Setup BIOS. Більшість сучасних систем не дозволяють змінювати задану синхронізацію пам’яті, постійно використовуючи автоматично встановлені параметри. При автоматичній установці системна плата зчитує параметри синхронізації з системи визначення послідовності у ПЗП (Serial Presence Detect – SPD) і встановлює частоту періодичної подачі імпульсів у відповідно до отриманих даних.
Читайте також:
|
||||||||
|