• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

Елементи емітерно (ЕЗЛ).-зв’язаної логіки.

Елементи ЕЗЛ є елементною базою для мікросхем надвисокої швидкодії. Для зменшення затримок переключення, транзистори в ЕЗЛ працюють в ненасиченому режимі і логічний перепад зменшений.

Особливістю є використання перемикача струму, поріг перемикання котрого задається зовнішньою опорною напругою Е₀.

Основний варіант елемента ЕЗЛ складається з перемикача струму та вихідних емітерних повторювачів. Елемент має два входи: інверсний, на якому реалізується функція , та неінверсний, де реалізується F₂=A+B. Таким чином елемент виконує комбіновану функцію АБО-НІ/АБО.

Мал. 110. Схема АБО-НІ / АБО на ЕЗЛ.

Коли потенціал на всіх входах , то вхідні транзистори VT1 закриті. Потенціал їх колекторів визначається падінням напруги на резисторі R_К1 при протіканні базового струму VT3. На інверсному виході F₁ встановлюється високий потенціал U_вих1=U¹. Опорний транзистор VT2 відкритий. Колекторний струм його I_К2 створює падіння напруги на резисторі R_К2 та потенціал колектору VT2. На виході F₂ встановлюється потенціал U_вих2=U⁰.

Якщо потенціал на входах VT1 , то відповідні вхідні транзистори відкриті, а транзистор VT2 закритий. Протікання колекторних струмів транзисторів VT1 викликає зниження потенціалу U_К1, в результаті на інверсному виході F1 встановлюється низький потенціал U_вих1=U⁰. На неінверсному виході підтримується високий потенціал U¹. Схема перемикається при .

Логічні елементи на однотипних МДП - транзисторах.

В цих елементах використовується тільки один тип компонентів - МДП - транзистори з каналом p- або n-типу. Найбільше призначення знаходять елементи на n - канальних МДП - транзисторах, котрі забезпечують більш високу швидкодію і по своїм логічним рівням і порогам сумісні з ТТЛ.

Типова схема АБО-НІ на МДП - транзисторах.

Мал. 111. Схема АБО-НІ

на МДП- транзисторах.

При низькому потенціалі на всіх входах U_вх < U₀, де U₀ - порогова напруга транзисторів VT1, ці транзистори закриті, їх струми стоку I_C1=0. Так як в схемі не тече струм, на виході встановлюється високий потенціал U¹. При цьому закриті і керуючі VT1 і навантажений VT0 транзистори.

При збільшенні напруги на входах відповідні транзистори відкриваються, коли U_вх досягає порогового значення U₀ та починає текти струм стоку I_С1. При подальшому зростанні U_вх струм I_C1 збільшується та напруга U_вих зменшується. Низький потенціал U_вих=U⁰ встановлюється на

виході схеми при .

Схема І – НІ.

Мал. 112. Схема І-НІ на МДП- транзисторах.

Низький потенціал U⁰ на виході встановлюється тільки в тому випадку, коли висок величина рівня U⁰ в m раз вище, ніж в схемі АБО-НІ (m - число входів).

Читайте також:

1. Адміністративне правопорушення як підстава юридичної відповідальності: ознаки і елементи.
2. Азот, фосфор, біогенні елементи та їх сполуки, органічні речовини
3. Базові елементи управління проектом
4. Будова й основні елементи машини
5. Валідація НАССР- отримання об'єктивного доказу того, що елементи НАССР-плану результативні.
6. Види валютних систем та їх елементи
7. Визначення і елементи накопиченого капіталу.
8. Визначення навантажень на елементи систем регулювання вітроустановок
9. Виробництво та його елементи
10. Виробничий процес та його елементи
11. Вихідні дані для проектування поздовжнього профілю, його елементи та оформлення
12. Внутрішні елементи

Переглядів: 1556