Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Елементи емітерно (ЕЗЛ).-зв’язаної логіки.

 

Елементи ЕЗЛ є елементною базою для мікросхем надвисокої швидкодії. Для зменшення затримок переключення, транзистори в ЕЗЛ працюють в ненасиченому режимі і логічний перепад зменшений.

Особливістю є використання перемикача струму, поріг перемикання котрого задається зовнішньою опорною напругою Е0.

Основний варіант елемента ЕЗЛ складається з перемикача струму та вихідних емітерних повторювачів. Елемент має два входи: інверсний, на якому реалізується функція , та неінверсний, де реалізується F2=A+B. Таким чином елемент виконує комбіновану функцію АБО-НІ/АБО.

 

 

Мал. 110. Схема АБО-НІ / АБО на ЕЗЛ.

 

Коли потенціал на всіх входах , то вхідні транзистори VT1 закриті. Потенціал їх колекторів визначається падінням напруги на резисторі RК1 при протіканні базового струму VT3. На інверсному виході F1 встановлюється високий потенціал Uвих1=U1. Опорний транзистор VT2 відкритий. Колекторний струм його IК2 створює падіння напруги на резисторі RК2 та потенціал колектору VT2. На виході F2 встановлюється потенціал Uвих2=U0.

Якщо потенціал на входах VT1 , то відповідні вхідні транзистори відкриті, а транзистор VT2 закритий. Протікання колекторних струмів транзисторів VT1 викликає зниження потенціалу UК1, в результаті на інверсному виході F1 встановлюється низький потенціал Uвих1=U0. На неінверсному виході підтримується високий потенціал U1. Схема перемикається при .

Логічні елементи на однотипних МДП - транзисторах.

 

В цих елементах використовується тільки один тип компонентів - МДП - транзистори з каналом p- або n-типу. Найбільше призначення знаходять елементи на n - канальних МДП - транзисторах, котрі забезпечують більш високу швидкодію і по своїм логічним рівням і порогам сумісні з ТТЛ.

Типова схема АБО-НІ на МДП - транзисторах.

 

Мал. 111. Схема АБО-НІ

на МДП- транзисторах.

 

При низькому потенціалі на всіх входах Uвх < U0, де U0 - порогова напруга транзисторів VT1, ці транзистори закриті, їх струми стоку IC1=0. Так як в схемі не тече струм, на виході встановлюється високий потенціал U1. При цьому закриті і керуючі VT1 і навантажений VT0 транзистори.

При збільшенні напруги на входах відповідні транзистори відкриваються, коли Uвх досягає порогового значення U0 та починає текти струм стоку IС1. При подальшому зростанні Uвх струм IC1 збільшується та напруга Uвих зменшується. Низький потенціал Uвих=U0 встановлюється на

виході схеми при .

Схема І – НІ.

 

Мал. 112. Схема І-НІ на МДП- транзисторах.

 

 

Низький потенціал U0 на виході встановлюється тільки в тому випадку, коли висок величина рівня U0 в m раз вище, ніж в схемі АБО-НІ (m - число входів).

 

 


Читайте також:

  1. Адміністративне правопорушення як підстава юридичної відповідальності: ознаки і елементи.
  2. Азот, фосфор, біогенні елементи та їх сполуки, органічні речовини
  3. Базові елементи управління проектом
  4. Будова й основні елементи машини
  5. Валідація НАССР- отримання об'єктивного доказу того, що елементи НАССР-плану результативні.
  6. Види валютних систем та їх елементи
  7. Визначення і елементи накопиченого капіталу.
  8. Визначення навантажень на елементи систем регулювання вітроустановок
  9. Виробництво та його елементи
  10. Виробничий процес та його елементи
  11. Вихідні дані для проектування поздовжнього профілю, його елементи та оформлення
  12. Внутрішні елементи




Переглядів: 1464

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Елементи інтегральної інжекційної логіки І2Л. | Симетричні тригери на біполярних транзисторах.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.004 сек.