Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Самостійна робота 16

Самостійна робота 15

Особливості виготовлення інтегральних мікросхем

Технології виготовлення ІМС

Технологія виготовлення ІМС базується на виконанні складних фізично-хімічних процесів: нанесення на пластину тонких плівок з різних матеріалів та дифузії атомів домішок в напівпровідник. Для цього застосовують масковий метод, метод фотолітографії, електронно-променеву, ультразвукову обробку, епітаксіальну дифузію, іонну імплантацію тощо.

За технологією виготовлення ІМС розділяють на:

§ напівпровідникові (НПІМС);

§ плівкові (ПІМС);

§ гібридні (ГІМС).

В напівпровідниковій ІМС всі елементи виготовляють в об'ємі напівпровідникового кристалу, а міжз'єднання – на його поверхні.

В плівковій ІМС всі елементи і міжз'єднання виконують в виді плівок на поверхні діелектричної пластини.

Комбінація двох методів виготовлення напівпровідникової і плівкової ІМС призвела до появи гібридної ІМС (ГІМС), де застосовують плівкові пасивні елементи (R, L, С) та активні мініатюрні безкорпусні компоненти - транзистори й діоди.

ІМС виготовляють на пластині напівпровідника (для напівпровідникової ІМС) або на діелектричній пластині (для плівкової і гібридної ІМС).

Перевагою ГІМС є більш великий процент виходу пригодних ІМС (60…80 % відносно 5…30 % НП ІМС).

Проте, головне місце в мікроелектроніці займають напівпровідникові ІМС. Вони забезпечують найбільшу щільність упаковки, мають невелику вартість, більш технологічні і економічні, мають широкі функціональні можливості.

Технологію виробництва напівпровідникових ІМС основано на дифузійному або іонному легуванні напівпровідникових (силіцієвих) пластин для утворення областей різного типа електропроводності, між якими розміщується р-n перехід. Якщо розглядати пластину НП ІМС мікроскопом, то зверху видно тільки верхній шар структури - шар з'єднань і контактних площадок та діелектричний шар SіO2, який захищає поверхню кристалу.

Застосовують два різновида напівпровідникових ІМС - біполярні та польові ІМС.

Основою біполярних ІМС є структура п-р-п біполярного транзистора, основою польових ІМС - структури р- та п- канальних МДН - транзисторів.

Недоліком напівпровідникових ІМС є неможливість виготовляти індуктивності.

Формування структури ГІМС здійснюють нанесенням плівок різних матеріалів, які відповідають етапам технологічного процесу її виготовлення. Гібридні ІМС зручні для застосування в прецезійних та потужних ІМС і дозволяють виготовляти індуктивності.


Формування контактів напівпровідників


Читайте також:

  1. II. Будова доменної печі (ДП) і її робота
  2. IV. Практична робота.
  3. VI. Домашня робота.
  4. VI. Практична робота .
  5. VI. Практична робота .
  6. VI. Практична робота.
  7. VI. Практична робота.
  8. VI. Практична робота.
  9. VI. Практична робота.
  10. VI. Практична робота.
  11. VI. Практична робота.
  12. VI. Практична робота.




Переглядів: 497

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Термокомпресорне зварювання | Формування контакту напівпровідник – напівпровідник

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.004 сек.