МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Вибір і обгрунтування елементної базиПід час вибору елементної бази для проектованого виробу основними критеріями слід вважати, наступні вимоги для дипломного проектування це: - відповідність номіналів елементів вказаних в схемі електричній принциповій; - наявність даних елементів на виробництві; - технічні вимоги поставлені до конструкції; - економічна вигода; - універсальність радіоелементів; - стабільність параметрів; - мінімальна кількість розмірів корпусів. В проектованому виробі була використана сучасна елементна база. При виборі елементів враховувалося співвідношення між ціною радіоелемента та його технічними характеристиками, а також забезпечення необхідних електричних параметрів та надійності в діапазоні температур, вологості та механічних впливів. Виходячи із цих умов, вибираємо наступні електрорадіоелементи: Оптимальним варіантом вибору постійних резисторів є типу МЛТ потужністю 0,125Вт, 0,25Вт, 0,5Вт та 1Вт. Вони мають високу стабільність параметрів, малу залежність опору від температури, частоти, напруги, малі габарити і високу надійність. Призначені для роботи в електричних колах постійного, змінного та імпульсного струмів, ці резистори найбільш часто використовуються тому їх дістати буде дуже легко, також даний тип резисторів є не дорогими, що значно зменшує вартість виробу. Рисунок 2.1 - Габаритні розміри резистора МЛТ-0,25 В даному виробі використовувалися резистори таких номіналів МЛТ–0,25: 360 Ом, 2,2кОм, 10кОм, 39кОм, 10кОм, 2,7кОм, 12кОм; Резистори МЛТ-0,125: 6,8кОм, 12кОм, 2,2кОм, 24 Ом, 18кОм, 1кОм, 9,1кОм, 10кОм; Резистори МЛТ-0,5: 39 Ом, 24 Ом, 560кОм; Резистори МЛТ-1: 68кОм. Основні параметри: - номінальна потужність, Вт.............................................0,125, 0,25, 0,5, 1; - діапазон номінальних опорів, Ом...............................................1...10·106; - допустиме відхилення опору, %...........................................................±10; - максимальна робоча напруга, В............................................................200; - діапазон робочих температур, °С.............................................. -60.....+70; Також для регулювання ширини імпульсів ми використали резистор типу СП3-4АМ групи В з опором 10кОм, який являється змінним та має хороші електричні параметри, а також є не дорогим та якісним. Рисунок 2.2 – Зовнішній вигляд резистора типу СП3-4АМ Основні параметри: - номінальна потужність, Вт.................................................................0,5; - діапазон номінальних опорів, кОм...........................................1-4,7·103; - максимальна робоча напруга, В.........................................................250; - допустиме відхилення опору, %.........................................................±20. В якості електролітичних конденсаторів використовуємо конденсатори типу К50-16 – оксидно електролітичні алюмінієві, вони мають досить великі відхилення ємності, але це достатньо для забезпечення хороших параметрів для нашого виробу. Призначені для роботи в ланках постійного та пульсуючого струмів, та в імпульсних режимах. Вони дуже дешеві та поширені. Використовуючи конденсатори такого типу дає нам можливість автоматизувати процес виготовлення виробу. Рисунок 2.3 - Габаритні розміри конденсатора типу К50-16 Основні параметри конденсаторів типу К50-16: - робоча напруга................................................................ 16В, 50В; - відхилення ємності від номінального значення................... ±30%; - інтервал робочих температур................................... -40ºС+100ºС; - ТКЄ....................................................................................... +3,3%; - відносна вологість ………………………………………………до 98%; - діапазон тиску………………………………..….………6,6-2942гПа; - діапазони ємностей…………………..…….....….10 мкФ– 5000мкФ; - група ТКЄ:……………………………………….……...…..…...П100; - тангенс кута діелектричних втрат….………….….….…....….15...40. Використано в даному пристрої 6 конденсаторів такого типу з номінальною напругою 16В та 50В і ємностями: 100мкФ, 22мкФ, 10мкФ, 470мкФ. Дані конденсатори обиралися із врахуванням вимог до схеми, а також враховувалися цінові характеристики та якість виконання. Конденсатори типу К10-17б – керамічні неізольовані. Вони мають малі габарити, являються дуже дешевими та доступними. І мають добрі електричні параметри. Призначені для роботи в ланках постійного та пульсуючого струмів, а також в імпульсних режимах. Використовуючи конденсатори такого типу дає нам можливість автоматизувати процес виготовлення виробу. Рисунок 2.4 - Габаритні розміри конденсатора типу К10-17б Основні параметри: - робоча напруга.......................................................................... 50В; - відхилення ємності від номінального значення..................... ±10%; - інтервал робочих температур................................. -40ºС…+100ºС; - температурний коефіцієнт ємності......................................... +3,3%; - відносна вологість ............................................................... до 98%; - діапазон тиску.......................................................... .…6,6-2942гПа; - діапазони ємностей……...……………………….….….5нФ – 0,1мкФ; - група ТКЄ:……………………………………………………….....Н20.
Було використано конденсатори таких номіналів: 0,1мкФ, 1мкФ, 0,01мкФ. Ми обирали конденсатори такого типу у зв’язку з їх дешевизною та великим діапазоном ємностей. Мікросхема КР1006ВИ1 представляє собою таймер для формування імпульсів напруги тривалістю від декількох мікросекунд до десятків хвилин. Призначена для застосування в стабільних датчиках часу, генераторах імпульсів, широтно-імпульсних, частотних і фазових модуляторах, перетворювачах напруги і сигналів, ключових схемах, виконавчих пристроях в системах управління, контролю та автоматики. Містить 51 інтегральний елемент. Рисунок 2.5 – Габаритні розміри мікросхеми типу КР1006ВИ1 Призначення виводів мікросхеми: 1 – общий; 2 – запуск; 3 – вихід; 4 – скидання; 5 – контроль дільника; 6 – спрацювання; 7 – коло розряду; 8 – напруга живлення. Основні параметри мікросхеми: Напруга живлення, В……………………………………3-15;
Вхідна напруга низького рівня, В……………….…..…9,35; Вхідна напруга високого рівня, В………………………12,5; Струм споживання, мА…………………………….….…..15; Струм навантаження, мА……………………….…..…....100; Потужність розсіювання, мВт………………….…….……50; Робоча температура, С………………………….….-45…+70; Допустимі значення статичного потенціалу, В……...….200. В даному пристрої ця мікросхема використана у зв’язку з її відповідними електричними параметрами, що задовольняють схему, а також через її доступність та дешевизну. Мікросхема типу TL431CLP виробник фірми «Semiconductor Inc.» використовується в даному пристрої для стабілізації напруги живлення. Рисунок 2.6 – Зовнішній вигляд мікросхеми типу TL431CLP виробник фірми «Semiconductor Inc.» Основні параметри мікросхеми: Вхідна напруга, В………….……………………………..….….40; Вихідна напруга, В……………………………………..…..…...36; Струм стабілізації, мА…………………………….……….….100; Тип корпуса………………………………………..…….TSSOP-8; Тип мікросхеми……………………………….…....нерегулююча; Нестабільність по струму, %....................................................0,67; Нестабільність по напрузі, %...................................................0,05; Температурний діапазон, 0С………………………...….-10…+70. Даний тип мікросхеми обраний виходячи із напруги стабілізації, а також у зв’язку з поширеністю, хорошою якістю та дешевизною мікросхеми. Мікросхема типу К561ЛЕ5 являється цифровою микросхемою серії КМОН. Мікросхема представляє собою чотири логічних элементи 2АБО-НЕ та вміщує в собі 49 інтегральних елементів. Рисунок 2.7 – Габаритні розміри мікросхеми типу К561ЛЕ5 Основні параметри мікросхеми: Напруга живлення, В…………………………….…..…3…15; Напруга лог. 0, В………………………………….менше 0,05; Напруга лог. 1, В……………………………….…більше 0,05; Кількість контактів………………………………………….14; Робоча температура, С………………………..….….-45…+80. В даному пристрої ця мікросхема використана у зв’язку з її відповідними електричними параметрами, що задовольняють схему, а також через її доступність та дешевизну. Мікросхема типу К561ИЕ8 являється цифровою микросхемою серії КМОН. Мікросхема представляє собою десятковий лічильник-дільник. Рисунок 2.8 – Зовнішній вигляд мікросхеми типу К561ИЕ8 Основні параметри мікросхеми: Напруга живлення, В…………………………….…..…3…15; Напруга лог. 0, В…………………………………...менше 0,1; Напруга лог. 1, В………………………………...…більше 0,1; Кількість контактів………………………………………….16; Час затримки, нс…………………………………………….50; Потужність споживання, мкВт……………………………0,4; Робоча температура, С………………………..….….-45…+80. В даному пристрої ця мікросхема використана у зв’язку з її відповідними електричними параметрами, що задовольняють схему, а також через її доступність та дешевизну. Для індикації роботи пристрою використовується світлодіод типу АЛ307ГМ. Рисунок 2.9 – Зовнішній вигляд світлодіода типу АЛ307ГМ Основні параметри світлодіода: Колір свічення………………………………………….….зелений; Довжина хвилі, нм………………………………………….…..562; Мінімальна сила світла, мКд………………………………..….1,5; Максимальна сила світла, мКд………………………………...1,5; Максимальна пряма напруга, В…………………………….…..2,8; Максимальна зворотня напруга, В……………………………….2; Максимальний імпульсний струм, мА…………………….…..60; Робоча температура, С………………………..……...….-60…+70. Оптрон типу АОТ101АС: Рисунок 2.10 – Зовнішній вигляд оптрона типу АОТ101АС Основні параметри оптрона: Кількість каналів…………………………………………..….….…..2; Постійна пряма вхідна напруга, В…………………………..….....1,8; Час включення, нс………………………………………….……..4000; Час виключення, нс……………………………………….…..…..4000; Вихідний каскад……………………………..…...…..фототранзистор; Максимальна напруга ізоляції, В……………………..…….…….…5; Температурний діапазон, 0С……………………….…..…....-40…+85; Корпус…………………………………………….…….….…….PDIP8. Оптрон типу МОС3083 виробник фірми «Fairchild Semiconductor» : Рисунок 2.11 – Зовнішній вигляд оптрона типу МОС3083 виробник фірми «Fairchild Semiconductor» Основні параметри оптрона: Кількість каналів…………………………………………..……….1; Постійна пряма вхідна напруга, В………………………….…..1,15; Максимальний вхідний струм, мА…………………..…….….….60; Максимальна вхідна зворотня напруга, В……………..…….……3; Вихідний каскад……………………………………..…..….сімістор; Максимальна вихідна комутуюча напруга, В……………..……600; Максимальна напруга ізоляції, В………………………….……7500; Температурний діапазон, 0С………………………..….…...-40…+85; Корпус…………………………………………….……….…….PDIP4. Дані типи оптронів ми використали в проектованому пристрої через те, що вони добре підходили по електричних параметрах в схему, та були доступними для придбання, а також дешевими. Тиристор типу ВТ139-800 використовується в даному пристрої в якості електронного ключа, також при цьому керує потужністю навантаження приладу. Рисунок 2.12 - Габаритні розміри тиристора типу ВТ139-800 Основні параметри тиристора: Особливості………………………………………….………симетричний; Максимальна зворотня напруга, В……………….……………………800; Максимальний середній за період струм у відкритому стані, А……..16; Максимальна напруга у відкритому стані, В…………….……………1,6; Максимальна імпульсна напруга в закритому стані, В………………800; Максимальний імпульсний струм у відкритому стані, А……...……...16; Найменший імпульсний струм необхідний для включення тиристора,А................................................................................................0,1; Відпираюча напруга управління, В……………………………..……...1,5; Критична швидкість наростання напруги в закритому стані, В/мкс....20; Критична швидкість наростання струму в відкритому стані, А/мкс…20; Час включення, мкс……………………………………….…...……….…2; Робоча температура, 0С………………………………..………..-40…+125; В даному пристрої використано саме цей тип тиристора через те, що він задовольняє умови схеми по електричних параметрах, а також не дорогий і широко розповсюджений. В розроблюваному пристрої для перемикання режимів часу витримки та для регулювання вихідної потужності використовуються два типи перемикачів, параметри яких описані нижче. Перемикач типу B100J виробник фірми «China»:
Рисунок 2.13 – Зовнішній вигляд перемикача типу B100J виробник фірми «China» Основні параметри перемикача: Робоча напруга, В…………………………..….….250; Робочий струм, А……………………………….……6; Кількість контактних груп…………………….….…1; Кількість контактів в групі…………………………..2; Опір ізоляції, МОм………………………………..….1; Тип монтажу…………………….......в отвір на панелі. Перемикач типу HS16-1N виробник фірми «NKK Switches»: Рисунок 2.14 – Зовнішній вигляд перемикача типу HS16-1N виробник фірми «NKK Switches» Основні параметри перемикача: Робоча напруга, В…………………………..…….….250; Робочий струм, А………………………………...……15; Кількість контактних груп………………….….………1; Кількість контактів в групі…………………………...11; Опір ізоляції, МОм……………………….………....….5; Тип монтажу………………………......в отвір на панелі. Для випрямлення змінної напруги з частотою 50 Гц в постійну використовується діодний міст типу W04M виробник фірми «China» параметри якого описані нижче. Рисунок 2.15 – Зовнішній вигляд діодного моста типу W04M виробник фірми «China» Основні параметри діодного моста: Конфігурація………………………………………….…1-фазний; Максимальна постійна зворотня напруга, В…………………400; Максимальний прямий струм, А…………………………..…..1,5; Максимальна імпульсна зворотня напруга, В…………..……480; Максимальний прямий імпульсний струм, А………………….50; Максимальний зворотній струм, мкА………………………..…10; Максимальна пряма напруга, В……………………….….…….1; Робоча температура, 0С……………………..………...-55…+125; Такий тип діодного моста обирався з урахуванням його максимальних електричних параметрів, які задовольнятимуть схему. Також він є дешевим та якісним. Транзистор типу КТ3107Д - біполярний, кремнієвий, високочастотний, p-n-p структури. Позначення типу приводиться на корпусі. Його перевагою є дешевизна, доступність, висока надійність, а також не великі габарити, що є актуально при проектуванні даного пристрою. Рисунок 2.16 – Зовнішній вигляд транзистора типу КТ3107Д
Основні параметри транзистора: Структура……………………………………………………………p-n-p; Максимальна напруга к-б, В…………………………………………..30; Максимально допустимий струм, А…………………………….....…0,1; Коефіцієнт передачі струму…………………………………..…..….180; Гранична частота коефіцієнта передачі струму, МГц………….…..200; Максимальна потужність розсіювання, Вт…………………….….…0,3. В даній схемі передбачено використання такого типу транзистора структури p-n-p у зв`язку з його дешевизною, легкодоступністю та відповідними електричними параметрами що задовольняють схему по потужності. Транзистор типу IRFU9024N виробник фірми «International Rectifier» польовий, кремнієвий, епітаксійно-планарний з ізольованим затвором, каналом p-типу і вбудованим зворотньозміщеним діодом. Призначений для використання в якості елемента комутації електричних кіл в пристроях засобів зв’язку, телефонних апаратах і в інших пристроях. Його перевагою є дешевизна, доступність, висока надійність. Рисунок 2.17 – Зовнішній вигляд транзистора типу IRFU9024N виробник фірми «International Rectifier» Основні параметри транзистора: Напруга стік-виток…………….………………………….….…...200В; Напруга затвор-виток…………………………………………….+20В; Постійний струм втоку…………..….………………………….180мА;
Імпульсний струм втоку…………………………….………………2А; Потужність розсіювання………………………………………....0,5Вт; Температура переходу..……..…….…………..............................1500С; Транзистор біполярний типу КТ3102Е малої потужності високочастотний, кремнієвий структури n-p-n. Його перевагою є дешевизна, доступність, висока надійність. Рисунок 2.18 - Габаритні розміри транзистора КТ3102Е Основні параметри транзистора: Структура……………………………………………………………n-p-n; Максимальна напруга к-б, В…………………………………………..20; Максимально допустимий струм, А…………………………….....…0,1; Коефіцієнт передачі струму…………………………………..…..….400; Гранична частота коефіцієнта передачі струму, МГц………….…..300; Максимальна потужність розсіювання, Вт…………………….……0,25. В даній схемі передбачено використання такого типу транзистора структури n-p-n у зв`язку з його дешевизною, легкодоступністю та відповідними електричними параметрами що задовольняють схему по потужності. Транзистор типу КТ815Г біполярний, середньої потужності середньочастотний, кремнієвий структури n-p-n. Його перевагою є дешевизна, доступність, висока надійність. Рисунок 2.19 – Зовнішній вигляд транзистора КТ815Г Основні параметри транзистора: Структура……………………………………………………………n-p-n; Максимальна напруга к-б, В………………………………..………..100; Максимально допустимий струм, А…………………………….....…1,5; Коефіцієнт передачі струму…………………………………....…..….30; Гранична частота коефіцієнта передачі струму, МГц…………….…..3; Максимальна потужність розсіювання, Вт……………………...……10. В даній схемі передбачено використання такого типу транзистора структури n-p-n у зв`язку з його дешевизною, легкодоступністю та відповідними електричними параметрами що задовольняють схему по потужності. Обираючи елементну базу для розробки даного пристрою ми опиралися на відповідність елементів параметрам схеми, доступність їх в місцях продажу, хорошу якість виконання та не високу ціну. 2.1.5 Розрахунок електричних параметрів окремих каскадів Схема електрична принципова випрямляча з безтрансформаторним входом зображена на рисунку 2.20. Рисунок 2.20 – Схема електрична принципова випрямляча з безтрансформаторним входом 1. Вихідні дані для розрахунку: Uвх = 20В; Ін = 0,15А; Uн = 20мВ; Fп = 100Гц. 2. По струму навантаження оприділяємо максимальний струм, який тече через кожний діод випрямного моста. Ід = 0,5*С*Ін [Л.1 ст.54] (2.1) де: Ін – максимальний струм навантаження; С – коефіцієнт, який залежить від струму навантаження. Ід = 0,5*2,2*0,15А = 0,16А 3. Розраховуємо зворотню напругу, яка буде прикладатися до кожного діода випрямляча. Uзв. = 1,5*Uн [Л.1 ст.54] (2.2) де: Uн – напруга на навантаженні; Uзв. = 1,5*20мВ = 30мВ 4. Вибираємо діодний міст типу W04M виробник фірми «China», ми його обрали через те що він відповідає розрахованим параметрам: Іп = 1,5А > Ід = 0,16А; Uзв. = 400В > Uзв.д. = 30мВ 5. Розраховуємо ємність конденсатора фільтра. [Л.1 ст.54] (2.3) де: Ін – максимальний струм навантаження; Uн – напруга на навантаженні; Кп – коефіцієнт пульсацій випрямленої напруги. Вибираємо фільтруючий конденсатор типу К50-16 з ємністю 470мкФ та робочою напругою 50В. Читайте також:
|
||||||||
|