Транзистори

Транзистор, або напівпровідниковий тріод, був винайдений в 1948р. За способом виготовлення транзистор мало чим відрізняється від напівпровідникового діода.

Основним елементом транзистора є пластинка германію або кремнію, в якій створюються три області з різними типами провідності.

Рис. 2.2 Конструкція транзистора.

Для маркування напівпровідникових приладів застосовується шестиелементна система позначень, де:

- перший елемент – буква або цифра, яка вказує на вихідний матеріал (Г або 1 – германій, К або 2 – кремній, А або 3 – арсенід галія);

- другий елемент – буква, яка характеризує клас або групу приладів (Д - випрямлюючі, імпульсні універсальні діоди, Т – транзистори, В – варикапи, Н – тиристори діодні, У - тиристори тріодні, И – тунельні діоди, С – стабілітрони, Л – фотовипромінюючі діоди, К – стабілізатори струму, П – польові транзистори);

- третій елемент – число (від 101 до 999), яке вказує на призначення приладу;

- четвертий і п’ятий елементи визначають порядковий номер розробки приладу і позначають цифрами від 01 до 99;

- шостий елемент - параметричні групи приладів;

Наприклад: 2Т14402А – кремнієвий (2), транзистор (Т), 144 – малої потужності низької частоти, 02 – розробки, група приладів А.

Інтегральні мікросхеми.

В сучасних моделях радіо- і телеапаратури, фотоапаратах і побутових електроприладах набули широкого застосування інтегральні мікросхеми.

Інтегральною мікросхемою називають мікроелектронний набір, який виконує певні функції перетворення і обробки сигналів і має високу щільність упакування електрично з’єднаних елементів, які розглядаються як одне ціле. Інтегральна мікросхема являє собою групу мініатюрних елементів радіоелектронних вузлів, виконаних на поверхні ізоляційної основи (підкладки), або в об’ємі напівпровідникового кристалу.

Перевага апаратури, де використовуються інтегральні мікросхеми:

- висока надійність в експлуатації і технологічність. Застосовуючи інтегральні мікросхеми, зменшуються витрати праці на зборку і монтаж апаратури, зменшується кількість паяних з’єднань, найбільш ненадійних елементів;

- мала маса і габарити;

- значно зменшується споживання електроенергії.

Залежно від технології виробництва інтегральні мікросхеми поділяються на:

- гібридні (виконуються на основі безкорпусних дискретних електронних приладів, що прикріплюються до ізоляційної основи підкладки, на яку нанесено плівкові елементи – резистори, конденсатори і т. і., а також з’єднуючі провідники);

- напівпровідникові (всі елементи виконуються на основі єдиного кристалу напівпровідника).

За складністю інтегральні мікросхеми поділяються на чотири групи:

1- малий ступінь інтеграції (до 30 елементів);

2- середній ступінь інтеграції (30-150 елементів);

3- великий ступінь інтеграції (150-1000 елементів);

4- надвеликий ступінь інтеграції (понад 1000елементів).

Середній термін безвідмовної роботи пристрою досягає 10³ – 10⁴ годин і більше.

Гібридні інтегральні мікросхеми складаються з таких конструктивних вузлів:

- ізоляційна основа із склопластику або кераміки, на поверхню якої у вигляді плівок нанесені резистори, конденсатори невеликої ємності, котушки невеликої індуктивності, дроселі, електричні з’єднання;

- дискретні безкорпусні напівпровідникові прилади;

- дискретні конденсатори великої ємності, трансформатори, дроселі;

- ізоляційний корпус, що забезпечує герметизацію елементів, інтегральної мікросхеми і має вивідні контакти.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Інтегральні мікросхеми	\|	Контактні пристрої і матеріали для них.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.01 сек.