МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
ТранзисториТранзистор, або напівпровідниковий тріод, був винайдений в 1948р. За способом виготовлення транзистор мало чим відрізняється від напівпровідникового діода. Основним елементом транзистора є пластинка германію або кремнію, в якій створюються три області з різними типами провідності. Рис. 2.2 Конструкція транзистора. Для маркування напівпровідникових приладів застосовується шестиелементна система позначень, де: - перший елемент – буква або цифра, яка вказує на вихідний матеріал (Г або 1 – германій, К або 2 – кремній, А або 3 – арсенід галія); - другий елемент – буква, яка характеризує клас або групу приладів (Д - випрямлюючі, імпульсні універсальні діоди, Т – транзистори, В – варикапи, Н – тиристори діодні, У - тиристори тріодні, И – тунельні діоди, С – стабілітрони, Л – фотовипромінюючі діоди, К – стабілізатори струму, П – польові транзистори); - третій елемент – число (від 101 до 999), яке вказує на призначення приладу; - четвертий і п’ятий елементи визначають порядковий номер розробки приладу і позначають цифрами від 01 до 99; - шостий елемент - параметричні групи приладів; Наприклад: 2Т14402А – кремнієвий (2), транзистор (Т), 144 – малої потужності низької частоти, 02 – розробки, група приладів А. Інтегральні мікросхеми. В сучасних моделях радіо- і телеапаратури, фотоапаратах і побутових електроприладах набули широкого застосування інтегральні мікросхеми. Інтегральною мікросхемою називають мікроелектронний набір, який виконує певні функції перетворення і обробки сигналів і має високу щільність упакування електрично з’єднаних елементів, які розглядаються як одне ціле. Інтегральна мікросхема являє собою групу мініатюрних елементів радіоелектронних вузлів, виконаних на поверхні ізоляційної основи (підкладки), або в об’ємі напівпровідникового кристалу. Перевага апаратури, де використовуються інтегральні мікросхеми: - висока надійність в експлуатації і технологічність. Застосовуючи інтегральні мікросхеми, зменшуються витрати праці на зборку і монтаж апаратури, зменшується кількість паяних з’єднань, найбільш ненадійних елементів; - мала маса і габарити; - значно зменшується споживання електроенергії. Залежно від технології виробництва інтегральні мікросхеми поділяються на: - гібридні (виконуються на основі безкорпусних дискретних електронних приладів, що прикріплюються до ізоляційної основи підкладки, на яку нанесено плівкові елементи – резистори, конденсатори і т. і., а також з’єднуючі провідники); - напівпровідникові (всі елементи виконуються на основі єдиного кристалу напівпровідника). За складністю інтегральні мікросхеми поділяються на чотири групи: 1- малий ступінь інтеграції (до 30 елементів); 2- середній ступінь інтеграції (30-150 елементів); 3- великий ступінь інтеграції (150-1000 елементів); 4- надвеликий ступінь інтеграції (понад 1000елементів). Середній термін безвідмовної роботи пристрою досягає 103 – 104 годин і більше. Гібридні інтегральні мікросхеми складаються з таких конструктивних вузлів: - ізоляційна основа із склопластику або кераміки, на поверхню якої у вигляді плівок нанесені резистори, конденсатори невеликої ємності, котушки невеликої індуктивності, дроселі, електричні з’єднання; - дискретні безкорпусні напівпровідникові прилади; - дискретні конденсатори великої ємності, трансформатори, дроселі; - ізоляційний корпус, що забезпечує герметизацію елементів, інтегральної мікросхеми і має вивідні контакти. Читайте також:
|
||||||||
|