Дана вузькосмугова система об’єднує в собі функції підсилювача та лінійного частотного фільтра (рис. 2.51).
Відмінність від підсилювача з резистивно-ємнісним навантаженням (див. п. 2.2) полягає в тому, що тут навантаженням електронного приладу служить паралельний коливальний контур; включення контуру в загальному випадку може бути неповним.
Звертаючись до еквівалентної схеми заміщення, бачимо, що струм з комплексною амплітудою , що надходить від керованого джерела, протікає по опорі
і створює на ньому падіння напруги, що є вихідним сигналом підсилювача. Нескладні перетворення показують [див. формулу (2.87)], що
.
(2.95)
Тут
(2.96)
– еквівалентний опір контуру підсилювача при резонансі з урахуванням внутрішнього опору джерела; еквівалентна узагальнена розстройка
.
Можна вважати, що вплив внутрішнього опору полягає в тому, що добротність коливальної системи зменшується та стає рівною еквівалентної добротності
.
(2.97)
Оскільки комплексна амплітуда гармонічного сигналу на виході підсилювача , частотний коефіцієнт передачі даного пристрою
.
(2.98)
Відповідно до формули (2.97), для ослаблення шунтуючої дії електронного приладу на коливальну систему без розширення смуги пропускання підсилювача варто зменшувати резонансний опір , застосовуючи неповне включення контуру.
Звідси випливають відповідно рівняння АЧХ і ФЧХ резонансного підсилювача:
(2.99)
.
(2.100)
Приклад 2.21.Підсилювач, зібраний за схемою рис. 2.51, має наступні параметри: . Визначити модуль коефіцієнта підсилення на резонансній частоті та смугу пропускання підсилювача.
Резонансний опір коливальної системи
.
Еквівалентний опір контуру при резонансі з врахуванням шунтуючої дії транзистора
.
При настроюванні підсилювача в резонанс , тому з (2.98) треба, що резонансний коефіцієнт підсилення
,
або в логарифмічних одиницях
.
Смугу пропускання підсилювача на рівні 0,707 визначаємо по формулі (2.90):